Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2012
• Автори: Славин, В.В., Кривчиков, A.A.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117968
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние прижимающего потенциала на устойчивость
 электронного кристалла над поверхностью жидкого
 гелия / В.В. Славин, A.A. Кривчиков // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 12. — С. 1390–1394 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия
 при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости
 электронного кристалла как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно
 слабой «недокомпенсации» внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении
 концентрации электронов. На основе предложенной модели дается объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств электронного кристалла над поверхностью
 жидкого гелия. Описано механізм порушення стійкості електронного кристалу над поверхнею рідкого гелію у притискуючих електричних полях, які менші, ніж поле повної компенсації заряду. В рамках одноелектронної
 моделі та квазікласичного приближення отримано залежність параметра стійкості електронного кристалу
 як функції зовнішнього притискуючого поля. Показано, що при скільки завгодно слабкої «недокомпенсації» зовнішнього поля електрони вирушають з поверхні гелію як термоактиваційним шляхом,
 так і за допомогою тунелювання. Внесок тунелювання різко зростає при збільшенні концентрації
 електронів. На підставі запропонованої моделі дається пояснення експериментальних результатів, що
 були отримані при вимірюванні електричних властивостей електронного кристалу над поверхнею
 рідкого гелію. A mechanism of stability disturbance is described
 for the electron crystals over liquid helium in confining
 electric fields that are less than the field of total
 charge compensation. The dependence of stability parameter
 as a function of confining electric fields is obtained
 in the framework of single-particle model and
 in the quasi-classical approximation. It is shown that
 for arbitrarily small «undercompensation» of the electric
 filed the electrons evaporate from the helium surface
 both by thermal activation and by tunneling. The
 contribution of the tunneling process increases rapidly
 with electron concentration. The experimental data on
 electric properties of electron crystal over helium surface
 are explained with the use of the proposed model.