Зображення обкладинки

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors

An analytical theory of piezojunction effect has developed in application to silicon diode temperature n+-p type sensors, which for the first time takes into account three-subbands structure of the valence band of silicon. The compressive and tensile stresses (along the main crystallographic directi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2003
Автори:	Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Venger, E.F.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117973
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors / V.L. Borblik,Yu.M. Shwarts, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 97-101. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

The effect of structure on the low-temperature electrical conductivity of carbon nanocomposite temperature sensors
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2019)

Biochemical passivation of metal surfaces for sensor application: reactive annealing of polycrystalline gold films in hydrogen sulfide atmosphere
за авторством: Snopok, B. A., та інші
Опубліковано: (2000)

About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: A. O. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Method of low-temperature rise of laser diode quality
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2002)

High stability temperature control of the laser diode for interferometry
за авторством: Kosyak, I. V.
Опубліковано: (2016)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Simple pulse microwave waveguide calorimeter with temperature sensor LM 35
за авторством: Linnik, A.F., та інші
Опубліковано: (2023)

Development of an Optical Temperature Sensor on Liquid Crystals
за авторством: V. Y. Skosar, та інші
Опубліковано: (2023)

Manifestation of polaronic effects in Josephson currents
за авторством: A. V. Parafilo, та інші
Опубліковано: (2013)

Effective polycrystalline sensor of ultraviolet radiation
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum-size effects in semiconductor heterosystems
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Effective polycrystalline sensor of ultraviolet radiation
за авторством: Pavelets, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)

The impact of variable temperatures on the manifestation of certain biological features of the silkworm
за авторством: Ju. V. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (1998)

Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
за авторством: O. V. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Features frequency conductivity of silicon sensor cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)