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Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors

Thermalization process in photosensitive amorphous molecular semiconductors are theoretically considered from the standpoint of their parameters, namely: thermalization time, thermalization length. The heat electron formed in consequence of absorption of the light quantum by semiconductor molecules...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
1. Verfasser:	Zabolotny, M.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117974
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors / M.A. Zabolotny // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 102-104. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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