Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
Activation energy of high temperature technological thermodonors (TD) has been determined in transmutation-doped n-Si(P) using the data analysis of the Hall-effect temperature dependence. Physical mechanisms of tensoeffects in n-Si(P) crystals doped by neutron irradiation and doped at growth were st...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117987 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon / Yu.P. Dotsenko, V.M. Ermakov, A.E Gorin, V.I. Khivrych, V.V. Kolomoets, V.F. Machulin, L.I. Panasjuk, I.V. Prokopenko, B.B. Sus', E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 111-114. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
The features of magnetoresistance of n-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2000)
Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
за авторством: Budzulyak, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Budzulyak, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)
Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
за авторством: V. M. Babich, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. M. Babich, та інші
Опубліковано: (2010)
Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
за авторством: Babich, V.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Babich, V.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
Beam technologies for incineration and transmutation of the nuclear waste
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів
за авторством: Gorin, A.E., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Gorin, A.E., та інші
Опубліковано: (2022)
Transmutation of radioactive waste on low-energy proton accelerators
за авторством: Migalenya, V.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Migalenya, V.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
On the transmutation of the Lions operator to the simplest form
за авторством: Yu. S. Linchuk
Опубліковано: (2017)
за авторством: Yu. S. Linchuk
Опубліковано: (2017)
Research of transmutation of products of nuclear cycle at the electron accelerator
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)
The transmutation modeling for plutonium and minor actinides in the two-zone subcritical reactor
за авторством: Gulik, V.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gulik, V.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Studies of thermonuclear neutron usage means for radioactive waste transmutation
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Magnetic susceptibility of p-Si(B) single crystals grown in "vacancy" regime at presence of thermodonors created by thermal treatments at 450 °C
за авторством: Babych, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Babych, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)
The development of neutron-physical model for two-zone research suhcritical reactor for nuclear waste transmutation
за авторством: V. I. Gulik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. I. Gulik, та інші
Опубліковано: (2019)
Theory of multidimensional Delsarte–Lions transmutation operators. II
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Theory of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. I
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Theory
of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. I
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2018)
Theory
of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. II
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2019)
Physical ground for radioactive waste transmutation facility using thermonuclear neutrons
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of geometry and fuel composition in two-zone subcritical research reactor for nuclear waste transmutation
за авторством: Sheliahovskyi, D.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sheliahovskyi, D.O., та інші
Опубліковано: (2018)
On the dielectric approximation in the additional light waves theory: an historical rehabilitation (recovery)
за авторством: Piskovoi, V.N., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Piskovoi, V.N., та інші
Опубліковано: (2015)
Fractional Integral and Generalized Stieltjes Transforms for Hypergeometric Functions as Transmutation Operators
за авторством: Koornwinder, T.H.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Koornwinder, T.H.
Опубліковано: (2015)
The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
Development of the physical insight into the nature of the factors that control electrophysical and other properties of semiconductors
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-Si at temperatures 300 to 450 K
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Ermakov, та інші
Опубліковано: (2012)
Contribution of f- and g- transitions to electron intervalley scattering of n-S at temperatures 300 to 450 K
за авторством: Ermakov, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ermakov, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
Digital aroma technology for chemical sensing: temporal chemical images of complex mixtures
за авторством: Kruglenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kruglenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Resonance generation of sum harmonic in static electric field
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Spectra of the photo-electric phenomena physically differentiated on the light absorption factor
за авторством: Berezhinsky, L.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Berezhinsky, L.I., та інші
Опубліковано: (2004)
The generalized De Rham-Hodge theory of Delsarte transmutation operators in multidimension case and its applications
за авторством: Prykarpatsky, Y.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Prykarpatsky, Y.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Electronic properties of silicon surface at different oxide film conditions
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)
Piezoelectrically active acoustic waves confined in a quantum well and their amplification by electron drift
за авторством: Demidenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Demidenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)
Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine — 50 years old
за авторством: V. F. Machulin
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. F. Machulin
Опубліковано: (2010)