Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
Physical fundamentals are analyzed for the method of determination of Cd₁₋xZnxTe composition x from measurements of the luminescence band peak position, emission being caused by annihilation of bound exciton - shallow neutral acceptor complexes at 4.2 K. Found are the conditions when application of...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117989 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 121-128. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)
Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
за авторством: Znamenshchykov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Znamenshchykov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2016)
On determination of Cd₁₋ₓZnₓTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2017)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Luminescence of Co1–xZnxO solid solutions at interband excitation
за авторством: N. B. Gruzdev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. B. Gruzdev, та інші
Опубліковано: (2015)
Metal vacancies in Cd1-xZnxS quantum dots
за авторством: I. M. Kupchak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. M. Kupchak, та інші
Опубліковано: (2020)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Plasma treatment of Cd₁₋ₓZnₓTe (x ~ 0.04) single crystals
за авторством: Smirnov, A.B.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smirnov, A.B.
Опубліковано: (2011)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd₀,₂Hg₀,₈Te с травителями системы NaNО₂–НІ–молочная кислота
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Денисюк, Р.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
Crystals Cd₁₋x ZnxTe – a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparations, structure defectness and electrophysical properties
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Atroshchenko, L.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)
The chemical, phase composition and optical properties of ZnxCd₁-xS films obtained by close spaced vacuum sublimation
за авторством: Yeromenko, Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yeromenko, Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts
за авторством: Feychuk, P.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Feychuk, P.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Спектры поглощения тонких пленок твердых растворов Rb₂(Cd₁₋xZnx)I₄
за авторством: Милославский, В.К., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Милославский, В.К., та інші
Опубліковано: (2010)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
Polariton luminescence in crystals of the CdTe type, taking into account the damping of excitons
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2012)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Isothermal oxidation of the Cu1–xZnx solid solution powders
за авторством: M. V. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Amphoteric center of luminescence in CdS
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Determination of optical parameters of CdTe films by principal angle ellypsometry
за авторством: Kornienko, K.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kornienko, K.N., та інші
Опубліковано: (2006)