Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2003
• Автори: Zhirko, Yu.I., Zharkov, I.P.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117990
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals / I.P. // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 134-140. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

We show that processes of creation, radiation and decay of the ground (n = 1) and excited exciton states in layered n-InSe and p-GaSe crystals involve direct (photon -> exciton -> photon, at k = 0), as well as indirect vertical (photon ± phonon -> exciton -> photon ± phonon, at k ~0), op...