Belyaev, A., Boltovets, N., Ivanov, V., Klad’ko, V., Konakova, R., Kudryk, Y., . . . Sheremet, V. (2007). On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Belyaev, A.E, et al. "On the Current Flow Mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky Barrier Diodes." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2007.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Belyaev, A.E, et al. "On the Current Flow Mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky Barrier Diodes." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.