Зображення обкладинки

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation

The results of researches of the kinetic effects in crystals CdSb are presented and discussed.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2007
Автори:	Fedosov, A.V., Koval, Y.V., Jashchinskij, L.V., Kovalchuk, O.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117996
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation / A.V. Fedosov, Y.V. Koval, L.V. Jashchinskij, O.V. Kovalchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 17-18. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)

Research on structural perfection of CdSb thermoelectric materials using Kh-ray diffraction methods
за авторством: V. P. Shafraniuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Research on structural perfection of CdSb thermoelectric materials using Kh-ray diffraction methods
за авторством: V. P. Shafranjuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Devices for remote temperature measurement of various objects based on CdSb anisotropic thermoelements
за авторством: I. M. Rarenko, та інші
Опубліковано: (2015)

On the possibility to estimate the mobility edge position for charge carriers using single-particle averages
за авторством: Ju. V. Skripnik, та інші
Опубліковано: (2018)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив рН на іонний обмін у системі CdSb—Cu²⁺—H₂O
за авторством: Сема, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)

Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Kinetic parameters of charge carrier traps in magnesium-aluminum spinel crystals after X-ray and UV irradiation
за авторством: Kobyakov, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of γ-irradiation on kinetic effects in indium-alloyed cadmium antimonide single crystals
за авторством: Koval, Yu.V.
Опубліковано: (2006)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: Marki, R., та інші
Опубліковано: (2020)

Thermoelectric properties, Shubnikov–de Haas effect and mobility of charged carriers in telluride and selenide of bismuth and antimony and nanocomposite based on these materials
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
за авторством: N. N. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2014)

Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)

Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2019)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)