Зображення обкладинки

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes

Electroluminescence of GaP light diodes, treated by ultrasound at room and low temperatures has been studied. It has been found that short ultrasound caused improvement of red diode emission characteristics while electroluminescence degradation occurred in structures treated by prolong treatment at...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2003
Автори: Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118000
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes / O.M. Gontaruk, V.I. Khivrych, M.B. Pinkovska, V.P. Tartachnyk, Ya.M. Olikh, R.M. Vernydub, V.Ya. Opilat // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 223-226. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси