Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
Optical, electric and photoelectric properties of Cd₁₋xHgxTe alloy with a low Hg content (x = 0.05) have been studied. The depth of impurity levels determining the conductivity of the material, their concentration and compensation degree, as well as the carrier lifetime and surface-recombination vel...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118001 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors / L.A. Kosyachenko, V.V. Kulchynsky, O.L. Maslyanchuk, S.Yu. Paranchych, V.M. Sklyarchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 227-232. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |