Shwarts, Y., Sokolov, V., Shwarts, M., & Venger, E. (2003). Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Shwarts, Yu.M, V.N Sokolov, M.M Shwarts, та E.F Venger. Peculiarities of Injection Phenomena in Heavily Doped Silicon Structures and Development of Radiation-resistant Diode Temperature Sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Shwarts, Yu.M, et al. Peculiarities of Injection Phenomena in Heavily Doped Silicon Structures and Development of Radiation-resistant Diode Temperature Sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.