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Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires

We have studied theoretically the combined effect of quantum confinement and "dielectric enhancement" on the characteristics of the exciton ground state in quasi-1D silicon nanowires. Consideration has been made within effective mass and classical image force approximations. As a result, e...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Korbutyak, D.V., Kryuchenko, Yu.V., Kupchak, I.M., Sachenko, A.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118013
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires / D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, I.M. Kupchak, A.V. Sachenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 172-182. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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