Buchumschlag

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations

Fractal analysis was used for the description of the geometry of the clusters formed within the Monte Carlo simulation of the first monolayer growth on Si substrate. Pulse laser deposition method was assumed for the epitaxy. Layers were obtained for various substrate temperatures varying in the rang...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Pyziak, L., Obermayr, W., Zembrowska, K., Kuzma, M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118014
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations / L. Pyziak, W. Obermayr, K. Zembrowska, M. Kuzma // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 183-188. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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