Зображення обкладинки

Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding

The theoretical consideration of the energy of the lowest singlet and triplet terms of shallow D¯-centers (two electrons, bound with one-charge Coulomb center) in semiconductors with an ionic and covalent binding has been carried out. The electron-phonon interaction is described by a Frцhlich Hamilt...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2003
Автори: Kashirina, N.I., Lakhno, V.D., Sychyov, V.V., Sheinkman, M.K.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118028
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding / N.I. Kashirina, V.D. Lakhno, V.V. Sychyov, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 269-273. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси