Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
An analysis of the 4.2 K exciton luminescence spectra of semi-insulating GaAs crystals with different concentrations of shallow acceptors (С) and donors (Si) is given. As a result, the 4.2 K capture coefficients of free excitons by shallow neutral acceptors [bA₀X = (4 ± 2) 10⁻⁸ cm³/s] and donors [bD...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118029 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 274-277. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Horishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. P. Horishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Gorishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. P. Gorishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006)
Optical properties of π-conjugated donor-acceptor systems with controlled hyperpolarizability
за авторством: Piryatinski, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Piryatinski, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Kinetic model of donor–acceptor interaction in photosynthetic reaction centres of bacteria
за авторством: T. V. Serdenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. V. Serdenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Investigation of conformational changes in proteins using donor-acceptor pair of fluorescent probes
за авторством: I. V. Govor
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. V. Govor
Опубліковано: (2015)
The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Size Effects in Resistance and Thermopower in Magnetic Field of Bi Nanowires Alloyed with Acceptor and Donor Impurities
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)
Dynamics of transfer of electron excitation in a donor-acceptor system with a carbon chain and ways of its relaxation
за авторством: M. M. Sevryukova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. M. Sevryukova, та інші
Опубліковано: (2017)
Dynamics of transfer of electron excitation in a donor-acceptor system with a carbon chain and ways of its relaxation
за авторством: Sevryukova, M.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sevryukova, M.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
EFFECT OF SILVER NANOPARTICLES ON ENERGY TRANSFER EFFICIENCY IN DONOR-ACCEPTOR MIXTURES OF ORGANIC DYES: IMPROVEMENT OF ACTIVE MEDIA FOR LUMINISCENT TECHNOLOGIES
за авторством: Nikolaiev, S. V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Nikolaiev, S. V., та інші
Опубліковано: (2025)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
Dose dependence of the intensity of free radical processes in the peripheral blood of conditionally healthy donors
за авторством: L. I. Makovetska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: L. I. Makovetska, та інші
Опубліковано: (2019)
On Creep and Damageability of Shallow Shells
за авторством: S. N. Sklepus
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. N. Sklepus
Опубліковано: (2018)
Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
The Crustacean Fauna (Branchiopoda, Copepoda) of Shallow Freshwater Bodies in Iceland
за авторством: Scher, O., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Scher, O., та інші
Опубліковано: (2000)
Review of a monographs
за авторством: Glinchuk, K.D.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Glinchuk, K.D.
Опубліковано: (1999)
Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
Free and bound states of excitons in percolation cluster of ZnSe quantum dots in dielectric matrix
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2011)
Biocatalytic carbon dioxide capture promoted by carbonic anhydrase
за авторством: O. K. Zolotareva, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: O. K. Zolotareva, та інші
Опубліковано: (2023)
The capture efficiency of high field flux concentrator
за авторством: Lapik, R.M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Lapik, R.M., та інші
Опубліковано: (2001)
Opportunities of CO2 capture and storage in the Paleozoic sediments of Donbass
за авторством: N. V. Zhikaljak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. V. Zhikaljak, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002) -
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012) -
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014) -
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014) -
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)