Buchumschlag

Injection currents in lamellar crystals of gallium telluride

The results of researches of electrical properties and injection currents in lamellar samples of p-type gallium telluride with the purpose of determination of charge transfer mechanism both in the Ohm law regime and in the range of its violation in the wide temperature interval (77- 300) K have been...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Madatov, R.S., Tagiyev, T.B., Gabulov, I.A., Abbasova, T.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118030
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Injection currents in lamellar crystals of gallium telluride / R.S. Madatov, T.B. Tagiyev, I.A. Gabulov, T.M. Abbasova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 278-281. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
von: Tagiyev, B.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Photoluminescence of undoped and Yb-doped GaS single crystals irradiated with γ-quanta
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
von: Lashkarev, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Unipolar injection currents in Bi₄Ge₃O₁₂ crystals
von: Bochkova, T.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Theory of two-dimensional photonic crystals with lamellar cylindrical pores
von: Glushko, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Structural features of lamellar-chain hydrogels
von: Yu. F. Zabashta, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
von: Shevchuk, V.N.
Veröffentlicht: (2005)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
von: M. I. Kliui, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
von: N. I. Klyui, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Lamellar heterogeneous objects with interfaces. Using transfer matrices in applications
von: L. B. Lerman
Veröffentlicht: (2016)

Crystallizations of solid solutions of bismuth and antimony tellurides by zone melting and normal crystallization
von: A. I. Anukhin, et al.
Veröffentlicht: (2016)

The influence of the Sasanian lamellar helmets on early Islamic iconography
von: A. L. Kubik
Veröffentlicht: (2018)

Assessment of susceptibility of structural steels to lamellar fractures. Development of new approaches
von: A. V. Bernatskij, et al.
Veröffentlicht: (2012)

The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
von: O. O. Balytskyi
Veröffentlicht: (2010)

IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Microwave irradiation of gallium arsenide
von: Red'ko, R.
Veröffentlicht: (2006)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
von: Seitmuratov, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Defects in Lamellar Phases of the Bi2Te3—Te Eutectics
von: M. A. Ramazanov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Optical parameters of the film naturally formed on the surface of cadmium telluride single crystals
von: Odarych, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Inhomogeneity of dielectric properties of cadmium zinc-telluride crystals grown from melt
von: Poluboiarov, O.O., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
von: Dubovyi, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
von: V. O. Kotsiubynskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Crystallochemistry of defects in lead telluride films
von: Freik, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
von: Litvinova, M.B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Influence of surface and intergrain boundaries scattering mechanisms of current carriers in thin films based on tin telluride
von: D. M. Freik, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Pre- and postmelting of cadmium telluride
von: Shcherbak, L.P., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Structure and short range order of liquid gallium
von: R. Bilyk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrochemical deposition of cadmium telluride films
von: Klochko, N.P., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Experimental research of efficiency of the crusher with wave profile of rolls during destruction of lamellar pieces
von: O. O. Tytov, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
von: Shtan'ko, A.D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

New Approach in Mathematical Modeling the Spectral Characteristics of Waveguide with Periodic Multistage Lamellar Gratings
von: Gandel, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
von: M. Y. Chumak, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Chemical-mechanical polishing of solid solutions crystals based on bismuth and antimony tellurides by compositions, which release bromine
von: I. I. Pavlovich, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
von: A. I. Kirilash, et al.
Veröffentlicht: (2012)