Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
The phenomenon of avalanche multiplication of charge carriers in Al/PS-(c-Si) sandwich-structures based on nanostructured porous silicon (PS) is studied. Experimentally received dependences of ionization rates on intensity of an electrical field correspond to the diffusion mechanism of electron-hole...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | Timokhov, D.F., Timokhov, F.P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118035 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon / D.F. Timokhov, F.P. Timokhov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 307-310. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
Features of electrical charge transfer in porous silicon
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001)
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)
Thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2015)
Double splitting of multiplication layer in avalanche generating diodes and generation of two-frequency self-oscillations
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2016)
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Controlled technology of anodic alumina porous nanostructures
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2017)
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
Carbon nanostructured material for multiple protective masks
за авторством: I. V. Kononko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. V. Kononko, та інші
Опубліковано: (2021)
Oscillatory regularity of charge carrier traps energy spectra in silicon organic polymer poly(di-n-hexylsilane)
за авторством: A. Gumenjuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Gumenjuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Oscillatory regularity of charge carrier traps energy spectra in silicon organic polymer poly(di-n-hexylsilane)
за авторством: Gumenjuk, A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gumenjuk, A., та інші
Опубліковано: (2012)
Randomly charged polymers in porous environment
за авторством: Blavatska, V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Blavatska, V., та інші
Опубліковано: (2013)
The nature of red emission in porous silicon
за авторством: Khomenkova, L.Yu., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khomenkova, L.Yu., та інші
Опубліковано: (2005)
Evidence for photochemical transformations in porous silicon
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)
Photosensitive porous silicon based structures
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Sensing to gases of structures silicide cobalt-porous silicon-silicon
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)
Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Relaxation of silicon non-equilibrium depletion with majority charge carriers in strong electric fields, its mechanisms and ways to damp it
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2008)
Thermoelectric properties of nanostructures in chrysotile asbestos and porous glass
за авторством: O. N. Uryupin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. N. Uryupin, та інші
Опубліковано: (2013)
Synthesis of charged silica films of porous structure
за авторством: Zharkikh, Yu.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zharkikh, Yu.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Cadmium sulfide−porous silicon nanocomposite structures
за авторством: N. A. Davidenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. A. Davidenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Cadmium sulfide−porous silicon nanocomposite structures
за авторством: M. O. Davydenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. O. Davydenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013) -
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014) -
Features of electrical charge transfer in porous silicon
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001) -
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008) -
Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)