Зображення обкладинки

The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals

Linear dichroism induced by uniaxial compression strain in semiconductor silicon samples was studied with modulation spectroscopy technique using modulation of electromagnetic radiation polarization. We obtained a spectral characteristic of the difference between transmissions for polarizations para...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2003
Автори: Serdega, B.K., Venger, E.F., Matyash, I.E.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118038
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals / B.K. Serdega, E.F. Venger, I.E. Matyash // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 319-323. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси