Зображення обкладинки

New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET

New nonlinear model for simulating physical and geometrical parameters to determine the junctions capacities of "the Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistor" GaAs MESFET are represented in this paper. Non linear variations of the bias and gate-source and gate-drain cap...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2003
Автори: Merabtine, N., Amourache, S., Saidi, Y., Zaabat, M., Kenzai, Ch.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118052
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET / N. Merabtine, S. Amourache, Y. Saidi, M. Zaabat, Ch. Kenzai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 404-410. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси