Зображення обкладинки

Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью

В трехмерных электронных системах с большой электронной плотностью не удается достичь перехода Андерсона ни путем увеличения беспорядка, ни сочетанием статического беспорядка с динамическим (высокой температурой), ни выбором материала с большим деформационным потенциалом и с большой&#xd...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2013
Автор:	Гантмахер, В.Ф.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Теми:	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118067
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью / В.Ф. Гантмахер // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 5–10. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

О возбуждении спинового тока звуковой волной
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2013)

Электронные интерферометры в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Девятов, Э.В.
Опубліковано: (2013)

Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2013)

Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2013)

Псевдощелевое состояние и сильное рассеяние носителей тока на локальных спиновых моментах как механизмы появления полупроводниковых свойств почти стехиометрических сплавов железо–ванадий–алюминий
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2013)

Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2009)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)

Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)

Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
за авторством: Германенко, А.В.
Опубліковано: (2009)

О некоторых экспериментальных методах и трюках
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2011)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)

Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2009)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)

Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
за авторством: Тимофеев, В.Б., та інші
Опубліковано: (2011)

Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
за авторством: Москвин, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)

Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)