Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures
The effects of microwave (2.45 GHz) treatment influence on the cross section for electron capture and the energy of the deep levels in the forbidden gap of GaAs monocrystals and n-n⁺ epitaxial structures have been investigated using acoustoelectric transient spectroscopy.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118085 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures / O.Ya. Olikh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 450-453. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
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