Зображення обкладинки

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells

The investigations of multilayer nano-scale systems contained one or two quantum wells are carried out by double-crystal X-ray diffractometry. Processes of interdiffusion of In, Ga atoms and their influence on properties of such systems are considered. The content of nitrogen in quantum wells and bu...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2003
Автори: Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118086
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells / I.M. Fodchuk, V.B. Gevyk, O.G. Gimchinsky, E.N. Kislovskii, O.P. Kroytor, V.B. Molodkin, S.I. Olihovskii, E.M. Pavelescu, M. Pessa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 479-486. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси