Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
The investigations of multilayer nano-scale systems contained one or two quantum wells are carried out by double-crystal X-ray diffractometry. Processes of interdiffusion of In, Ga atoms and their influence on properties of such systems are considered. The content of nitrogen in quantum wells and bu...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118086 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells / I.M. Fodchuk, V.B. Gevyk, O.G. Gimchinsky, E.N. Kislovskii, O.P. Kroytor, V.B. Molodkin, S.I. Olihovskii, E.M. Pavelescu, M. Pessa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 479-486. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
за авторством: Litovchenko, N. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Litovchenko, N. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
за авторством: M. Horiacha, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. Horiacha, та інші
Опубліковано: (2020)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Raman spectroscopy of BN and BxNyCz structures formed in an optical furnace without catalysts
за авторством: L. L. Sartinska, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: L. L. Sartinska, та інші
Опубліковано: (2010)
Raman spectroscopy of BN and BxNyCz structures formed in an optical furnace without catalysts
за авторством: Sartinska, L.L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sartinska, L.L., та інші
Опубліковано: (2010)
Концентрационная зависимость плотности состояний в парамагнетиках Паули YNi₅₋xCux
за авторством: Гуревич, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гуревич, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Влияние давления на магнитные свойства соединений YNi₅, LaNi₅ и CeNi₅
за авторством: Гречнев, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Гречнев, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2011)
The pressure effect on magnetic properties of YNi5, LaNi5 and CeNi5 compounds
за авторством: G. E. Grechnev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. E. Grechnev, та інші
Опубліковано: (2011)
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)
Reactions of laser-ablated aluminum atoms with nitrogen during condensation at 10 K. Infrared spectra and density functional calculations for Alx Ny molecular
за авторством: Andrews, Lester, та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Andrews, Lester, та інші
Опубліковано: (2000)
Thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Elastic properties of substitutional solid solutions InxTl1–xI and sound wave velocities in them
за авторством: A. V. Franiv, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Franiv, та інші
Опубліковано: (2017)
Elastic properties of substitutional solid solutions InxTl1–xI and sound wave velocities in them
за авторством: A. V. Franiv, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Franiv, та інші
Опубліковано: (2017)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Modeling of In₀.₁₇Ga₀.₈₃N/InₓGa₁₋ₓN/AlyGa₁₋yN light emitting diode structure on ScAlMgO₄ (0001) substrate for high intensity red emission
за авторством: Hussain, S., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Hussain, S., та інші
Опубліковано: (2020)
Низкотемпературная теплоемкость фрустрированных ферримагнетиков BaFe₁₂₋xInxO₁₉ с х = 3,0 и х = 3,6
за авторством: Андерс, А.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Андерс, А.Г., та інші
Опубліковано: (2003)
Loosing thermodynamic stability in amorphous materials
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2011)
Generic features of the primary relaxation in glass-forming materials (Review Article)
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2017)
Symmetry Extensions and Their Physical Reasons in the Kinetic and Hydrodynamic Plasma Models
за авторством: Taranov, V.B.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Taranov, V.B.
Опубліковано: (2008)
Cluster relaxation dynamics in liquids and solids near the glass-transformation temperature
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2007)
On Chaotic Dynamics in Rational Polygonal Billiards
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kokshenev, V.B.
Опубліковано: (2005)
On the existence and uniqueness of the solution of a differential equation with interaction governed by generalized function in abstract wiener space
за авторством: Brayman, V.B.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Brayman, V.B.
Опубліковано: (2005)