Buchumschlag

Configuration interaction in delta-doped heterostructures

We analyze the tunnel coupling between an impurity state located in a δ-layer and the 2D delocalized states in the quantum well (QW) located at a few nanometers from the δ-layer. The problem is formulated in terms of Anderson–Fano model as configuration interaction between the carrier bound state...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Rozhansky, I.V., Averkiev, N.S., Lähderanta, E.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Schlagworte:	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118094
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Configuration interaction in delta-doped heterostructures / I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 40–47. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
von: Charikova, T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
von: Гантмахер, В.Ф.
Veröffentlicht: (2013)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
von: Kagalovsky, V.
Veröffentlicht: (2013)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
von: Демиховский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Электронные интерферометры в режиме квантового эффекта Холла
von: Девятов, Э.В.
Veröffentlicht: (2013)

О возбуждении спинового тока звуковой волной
von: Ляпилин, И.И.
Veröffentlicht: (2013)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Ферромагнитные нанокомпозиты как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Doped nanoparticles for optoelectronics applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Донорный экситон кобальта и его взаимодействие с колебаниями решетки в полупроводниковом кристалле ZnO:Co
von: Груздев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
von: Shelushinina, N.G., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
von: Соколов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сверхпроводящие свойства новых гетерофуллеридов
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2017)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
von: Кикоин, К.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
von: Парфеньев, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
von: Ляпилин, И.И.
Veröffentlicht: (2009)

XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2011)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)