Configuration interaction in delta-doped heterostructures
We analyze the tunnel coupling between an impurity state located in a δ-layer and the 2D delocalized states in the quantum well (QW) located at a few nanometers from the δ-layer. The problem is formulated in terms of Anderson–Fano model as configuration interaction between the carrier bound state...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | Rozhansky, I.V., Averkiev, N.S., Lähderanta, E. |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118094 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Configuration interaction in delta-doped heterostructures / I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 40–47. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
by: Charikova, T., et al.
Published: (2015) -
О возбуждении спинового тока звуковой волной
by: Ляпилин, И.И.
Published: (2013) -
Электронные интерферометры в режиме квантового эффекта Холла
by: Девятов, Э.В.
Published: (2013) -
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013) -
Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
by: Гантмахер, В.Ф.
Published: (2013)