Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2013
• Автори: Вальков, В.В., Аксенов, С.В., Уланов, Е.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
• Теми: XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эффект Фано при туннелировании
 спин-поляризованного электрона через одиночную
 магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет
 управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в
 системе. В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що
 присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти
 властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі. The calculation of single magnetic impurity’s
 transport characteristics has showed that presence of
 different effective channels for electron transmission
 results the Fano effect. It was noticed the external
 magnetic field and gate voltage allow to control of
 conducting properties which are specified by the configuration
 interaction between states of the system.