Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2013
Автори: Вальков, В.В., Аксенов, С.В., Уланов, Е.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Теми:
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118095
record_format dspace
spelling Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
2017-05-28T16:54:41Z
2017-05-28T16:54:41Z
2013
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 75.76.+j, 72.25.–b, 85.75.–d
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095
В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе.
В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі.
The calculation of single magnetic impurity’s transport characteristics has showed that presence of different effective channels for electron transmission results the Fano effect. It was noticed the external magnetic field and gate voltage allow to control of conducting properties which are specified by the configuration interaction between states of the system.
Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные структуры», Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009–2013 годы», Российского фонда фундаментальных исследований (грант р_сибирь #11- 02-98007). Один из авторов (С.В. Аксенов) выражает благодарность за поддержку исследований, оказываемую в рамках гранта Президента РФ МК-1300.2011.2.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
spellingShingle Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
title_short Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_full Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_fullStr Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_full_unstemmed Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
title_sort эффект фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
author Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
author_facet Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
topic XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
topic_facet XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
publishDate 2013
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity
description В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе. В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі. The calculation of single magnetic impurity’s transport characteristics has showed that presence of different effective channels for electron transmission results the Fano effect. It was noticed the external magnetic field and gate voltage allow to control of conducting properties which are specified by the configuration interaction between states of the system.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095
citation_txt Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT valʹkovvv éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ
AT aksenovsv éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ
AT ulanovea éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ
AT valʹkovvv thefanoeffectundertunnelingofaspinpolarizedelectronthroughasinglemagneticimpurity
AT aksenovsv thefanoeffectundertunnelingofaspinpolarizedelectronthroughasinglemagneticimpurity
AT ulanovea thefanoeffectundertunnelingofaspinpolarizedelectronthroughasinglemagneticimpurity
first_indexed 2025-12-07T17:08:11Z
last_indexed 2025-12-07T17:08:11Z
_version_ 1850870114618966016

Схожі ресурси