Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет
 управлять...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эффект Фано при туннелировании
 спин-поляризованного электрона через одиночную
 магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707959570628608 |
|---|---|
| author | Вальков, В.В. Аксенов, С.В. Уланов, Е.А. |
| author_facet | Вальков, В.В. Аксенов, С.В. Уланов, Е.А. |
| citation_txt | Эффект Фано при туннелировании
 спин-поляризованного электрона через одиночную
 магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет
управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в
системе.
В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що
присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти
властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі.
The calculation of single magnetic impurity’s
transport characteristics has showed that presence of
different effective channels for electron transmission
results the Fano effect. It was noticed the external
magnetic field and gate voltage allow to control of
conducting properties which are specified by the configuration
interaction between states of the system.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:08:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118095 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:08:11Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вальков, В.В. Аксенов, С.В. Уланов, Е.А. 2017-05-28T16:54:41Z 2017-05-28T16:54:41Z 2013 Эффект Фано при туннелировании
 спин-поляризованного электрона через одиночную
 магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 75.76.+j, 72.25.–b, 85.75.–d https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095 В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет
 управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в
 системе. В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що
 присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти
 властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі. The calculation of single magnetic impurity’s
 transport characteristics has showed that presence of
 different effective channels for electron transmission
 results the Fano effect. It was noticed the external
 magnetic field and gate voltage allow to control of
 conducting properties which are specified by the configuration
 interaction between states of the system. Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные структуры», Федеральной целевой программы
 «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009–2013 годы», Российского фонда
 фундаментальных исследований (грант р_сибирь #11-
 02-98007). Один из авторов (С.В. Аксенов) выражает
 благодарность за поддержку исследований, оказываемую в рамках гранта Президента РФ МК-1300.2011.2. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity Article published earlier |
| spellingShingle | Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь Вальков, В.В. Аксенов, С.В. Уланов, Е.А. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь |
| title_alt | The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity |
| title_full | Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь |
| title_fullStr | Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь |
| title_full_unstemmed | Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь |
| title_short | Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь |
| title_sort | эффект фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь |
| topic | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095 |
| work_keys_str_mv | AT valʹkovvv éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ AT aksenovsv éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ AT ulanovea éffektfanopritunnelirovaniispinpolârizovannogoélektronačerezodinočnuûmagnitnuûprimesʹ AT valʹkovvv thefanoeffectundertunnelingofaspinpolarizedelectronthroughasinglemagneticimpurity AT aksenovsv thefanoeffectundertunnelingofaspinpolarizedelectronthroughasinglemagneticimpurity AT ulanovea thefanoeffectundertunnelingofaspinpolarizedelectronthroughasinglemagneticimpurity |