Зображення обкладинки

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2013
Автори:	Вальков, В.В., Аксенов, С.В., Уланов, Е.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Теми:	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118095
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2009)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)

Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Doped nanoparticles for optoelectronics applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2009)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)

Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2015)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
за авторством: Суркова, Т.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
за авторством: Москвин, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Электронные интерферометры в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Девятов, Э.В.
Опубліковано: (2013)