Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118098 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. 2017-05-28T17:01:30Z 2017-05-28T17:01:30Z 2013 Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098 Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kβT/τtr << 1) и баллистическом (kβT/τtr >> 1) режимах. Установлено, что в баллистическом режиме в интервале температур, где kβT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холловський ρxy(B) магнітоопір у паралельних та перпендикулярних площині зразка магнітних полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–9,0 Tл та температур T = 1,8–70 К. Представлено результати дослідження температурної залежності квантового часу життя в дифузійному (kβT/τtr << 1) та балістичному (kβT/τtr >> 1) режимах. Встановлено, що у балістичному режимі в інтервалі температур, де kβT/EF < 0,1, квадратична температурна залежність квантового часу життя, яка спостерігається, визначається непружним електрон-електронним розсіянням. Проте отримана залежність в усьому діапазоні температур існуючими теоріями кількісно не описується. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances have been investigated experimentally as a function of the in-plane and transverse magnetic fields in a n-InGaAs/GaAs structures with strongly-coupled double quantum wells in the temperature range T = = 1.8–70 K and magnetic fields B = 0–9,0 T. The experimental data on temperature dependence of quantum lifetime in diffusive (kβT/τtr << 1) and ballistic (kβT/τtr >> 1) regimes are considered. It is found that for the ballistic regime temperatures, kβT/EF < 0.1, the observed quadratic temperature dependence of quantum lifetime is determined by inelastic electronelectron scattering. However, in the whole temperature range the temperature dependence of quantum lifetime is not described quantitatively by the existing theories. Работа поддержана РФФИ, грант № 11-02-00427 и Программой президиума РАН 12-П-2-1051. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| spellingShingle |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_short |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_full |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_fullStr |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_sort |
температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-ingaas/gaas c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| author |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| author_facet |
Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| topic |
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet |
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells |
| description |
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs
с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kβT/τtr << 1) и баллистическом (kβT/τtr >> 1) режимах. Установлено, что в
баллистическом режиме в интервале температур, где kβT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается.
Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холловський ρxy(B) магнітоопір у паралельних та
перпендикулярних площині зразка магнітних полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–9,0 Tл та температур T = 1,8–70 К.
Представлено результати дослідження температурної залежності квантового часу життя в дифузійному
(kβT/τtr << 1) та балістичному (kβT/τtr >> 1) режимах. Встановлено, що у балістичному режимі в інтервалі
температур, де kβT/EF < 0,1, квадратична температурна залежність квантового часу життя, яка спостерігається, визначається непружним електрон-електронним розсіянням. Проте отримана залежність в усьому діапазоні температур існуючими теоріями кількісно не описується.
Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances
have been investigated experimentally as a
function of the in-plane and transverse magnetic fields
in a n-InGaAs/GaAs structures with strongly-coupled
double quantum wells in the temperature range T =
= 1.8–70 K and magnetic fields B = 0–9,0 T. The experimental
data on temperature dependence of quantum
lifetime in diffusive (kβT/τtr << 1) and ballistic
(kβT/τtr >> 1) regimes are considered. It is found that
for the ballistic regime temperatures, kβT/EF < 0.1, the
observed quadratic temperature dependence of quantum
lifetime is determined by inelastic electronelectron
scattering. However, in the whole temperature
range the temperature dependence of quantum lifetime
is not described quantitatively by the existing theories.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098 |
| citation_txt |
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT arapovûg temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT gudinasv temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT neverovvn temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT podgornyhsm temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT âkuninmv temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT arapovûg temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT gudinasv temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT neverovvn temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT podgornyhsm temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT âkuninmv temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells |
| first_indexed |
2025-12-07T19:12:13Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:12:13Z |
| _version_ |
1850877918658428928 |