Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs
 с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T =...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862729054932697088 |
|---|---|
| author | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| author_facet | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| citation_txt | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs
с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kβT/τtr << 1) и баллистическом (kβT/τtr >> 1) режимах. Установлено, что в
баллистическом режиме в интервале температур, где kβT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается.
Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холловський ρxy(B) магнітоопір у паралельних та
перпендикулярних площині зразка магнітних полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–9,0 Tл та температур T = 1,8–70 К.
Представлено результати дослідження температурної залежності квантового часу життя в дифузійному
(kβT/τtr << 1) та балістичному (kβT/τtr >> 1) режимах. Встановлено, що у балістичному режимі в інтервалі
температур, де kβT/EF < 0,1, квадратична температурна залежність квантового часу життя, яка спостерігається, визначається непружним електрон-електронним розсіянням. Проте отримана залежність в усьому діапазоні температур існуючими теоріями кількісно не описується.
Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances
have been investigated experimentally as a
function of the in-plane and transverse magnetic fields
in a n-InGaAs/GaAs structures with strongly-coupled
double quantum wells in the temperature range T =
= 1.8–70 K and magnetic fields B = 0–9,0 T. The experimental
data on temperature dependence of quantum
lifetime in diffusive (kβT/τtr << 1) and ballistic
(kβT/τtr >> 1) regimes are considered. It is found that
for the ballistic regime temperatures, kβT/EF < 0.1, the
observed quadratic temperature dependence of quantum
lifetime is determined by inelastic electronelectron
scattering. However, in the whole temperature
range the temperature dependence of quantum lifetime
is not described quantitatively by the existing theories.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:12:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118098 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:12:13Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. 2017-05-28T17:01:30Z 2017-05-28T17:01:30Z 2013 Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098 Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs
 с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kβT/τtr << 1) и баллистическом (kβT/τtr >> 1) режимах. Установлено, что в
 баллистическом режиме в интервале температур, где kβT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холловський ρxy(B) магнітоопір у паралельних та
 перпендикулярних площині зразка магнітних полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–9,0 Tл та температур T = 1,8–70 К.
 Представлено результати дослідження температурної залежності квантового часу життя в дифузійному
 (kβT/τtr << 1) та балістичному (kβT/τtr >> 1) режимах. Встановлено, що у балістичному режимі в інтервалі
 температур, де kβT/EF < 0,1, квадратична температурна залежність квантового часу життя, яка спостерігається, визначається непружним електрон-електронним розсіянням. Проте отримана залежність в усьому діапазоні температур існуючими теоріями кількісно не описується. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances
 have been investigated experimentally as a
 function of the in-plane and transverse magnetic fields
 in a n-InGaAs/GaAs structures with strongly-coupled
 double quantum wells in the temperature range T =
 = 1.8–70 K and magnetic fields B = 0–9,0 T. The experimental
 data on temperature dependence of quantum
 lifetime in diffusive (kβT/τtr << 1) and ballistic
 (kβT/τtr >> 1) regimes are considered. It is found that
 for the ballistic regime temperatures, kβT/EF < 0.1, the
 observed quadratic temperature dependence of quantum
 lifetime is determined by inelastic electronelectron
 scattering. However, in the whole temperature
 range the temperature dependence of quantum lifetime
 is not described quantitatively by the existing theories. Работа поддержана РФФИ, грант № 11-02-00427 и
 Программой президиума РАН 12-П-2-1051. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells Article published earlier |
| spellingShingle | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами Арапов, Ю.Г. Гудина, С.В. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_alt | Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells |
| title_full | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_fullStr | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_short | Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| title_sort | температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-ingaas/gaas c двойными сильно связанными квантовыми ямами |
| topic | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098 |
| work_keys_str_mv | AT arapovûg temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT gudinasv temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT neverovvn temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT podgornyhsm temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT âkuninmv temperaturnaâzavisimostʹkvantovogovremenižiznivstrukturahningaasgaascdvoinymisilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT arapovûg temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT gudinasv temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT neverovvn temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT podgornyhsm temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells AT âkuninmv temperaturedependenceofquantumlifetimeinningaasgaasstructureswithdoublestronglycoupledquantumwells |