Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
• Schlagworte: XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118098
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 58–65. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К...