Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла - Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Неверов, В.Н.; Новокшонов, С.Г.; Клепикова, А.С.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2013)
Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и
двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и
после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ
и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ. Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною
квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано
дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ. Temperature and magnetic-field dependences of
longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of
n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and
double quantum wells are investigated in the quantum
Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T =
= 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature
dependence of the QHE plateau-to-plateau
transition width are analyzed and information about
temperature dependences of the width of delocalized
state stripes in the center of Landau subbands is obtained.