Стиль цитування APA (7-ме видання)

Aw, K., & Ibrahim, K. (2003). Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Aw, K.C, та K. Ibrahim. "Dual Model Describing Effects of Evaporated Metal Gate on Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane in Metal Oxide Semiconductor Capacitor Structure." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2003.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Aw, K.C, та K. Ibrahim. "Dual Model Describing Effects of Evaporated Metal Gate on Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane in Metal Oxide Semiconductor Capacitor Structure." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003.

Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.