Зображення обкладинки

Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure

Spin-on Methylsilsesquioxane (MSQ) exhibits low dielectric constant and is an important and promising material to reduce parasitic capacitive coupling between metal layers in semiconductor integrated circuits. However, MSQ has lower film density and therefore more porous than the traditional silicon...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2003
Автори:	Aw, K.C., Ibrahim, K.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118103
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure / K.C. Aw, K. Ibrahim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 524-527. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Application of discharges of capacitors for control of metal crystallization in ESR
за авторством: I. V. Protokovilov, та інші
Опубліковано: (2015)

Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
за авторством: Y. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)

Model of the Formation Damaging Factors of Dual Circuit Evaporator Unit
за авторством: V. A. Reznikov, та інші
Опубліковано: (2013)

Surface plasmon polaritons in dielectric/metal/dielectric structures: metal layer thickness influence
за авторством: P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of the electroneutrality of a metal layer on the plasmon spectrum in dielectric–metal–dielectric structures
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)

Volt-farad phenomena in metal–oxide–semiconductor structures
за авторством: A. Levchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of planar metal/dielectric nanowaveguides
за авторством: V. M. Fitio, та інші
Опубліковано: (2020)

Features of planar metal/dielectric nanowaveguides
за авторством: Fitio, V.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
за авторством: Chan-Hyeong Kim, та інші
Опубліковано: (2004)

Ellipsometry of hybrid noble metal-dielectric nanostructures
за авторством: A. L. Yampolskiy, та інші
Опубліковано: (2018)

Ellipsometry of hybrid noble metal-dielectric nanostructures
за авторством: Yampolskiy, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Synthesis of three-loop circuits of semiconductor electric discharge installations with reservoir capacitor
за авторством: S. S. Roziskulov, та інші
Опубліковано: (2018)

CREATION OF HIGH-VOLTAGE PULSE CAPACITORS ON THE BASIS OF A COMPOSITE FILM DIELECTRIC
за авторством: Gun'ko, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Formation of rectifying contact in semiconductor–vacuum–metal system
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Thermodynamic and adhesive parameters of nanolayers in the system "metal-dielectric"
за авторством: Yuzevych, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)

AN ANTENNA BASED ON A HYBRID METAL–DIELECTRIC STRUCTURE
за авторством: Mayboroda, D. V., та інші
Опубліковано: (2021)

An Antenna Based on a Hybrid Metal–Dielectric Structure
за авторством: D. V. Maiboroda, та інші
Опубліковано: (2021)

Features of analysis of transients in circuits of discharge of reservoir capacitors at the electro-spark dispersion of layer of metal granules
за авторством: N. I. Suprunovskaja
Опубліковано: (2015)

Numerical analysis of processes of heating and convective evaporation of metal in treatment by a pulsed laser radiation
за авторством: I. V. Krivtsun, та інші
Опубліковано: (2010)

Electromagnetic Waves of a Planar Layered Metal-Dielectric Structure
за авторством: Vidil, M. J., та інші
Опубліковано: (2012)

Modified optical OR and AND gates
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)

Electro-optical hybrid logic gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2007)

Control of parameters of bipolar pulse currents in the load of semiconductor electric discharge installations with reservoir capacitor
за авторством: N. I. Suprunovska, та інші
Опубліковано: (2017)

Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface
за авторством: Melnychuk, S.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices
за авторством: Fogel, N.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Construction of self-dual binary \([2^{2k},2^{2k-1},2^k]\)-codes
за авторством: Hannusch, Carolin, та інші
Опубліковано: (2016)

Polarizability of a hemispherical metal nanoparticle located on a dielectric substrate
за авторством: A. V. Korotun
Опубліковано: (2022)

Polarizability of a hemispherical metal nanoparticle located on a dielectric substrate
за авторством: A. V. Korotun
Опубліковано: (2022)

Production of metal and dielectric films in a combined RF and arc discharge
за авторством: Gasilin, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Universal Electro-Optical Hybrid Logic Gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2008)

Transients at changing the configuration of the discharge circuit of the capacitor of semiconductor electrical discharge installations with an electro-spark load
за авторством: N. I. Suprunovska, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of the capacitance of the capacitor of the discharge circuit of semiconductor electric discharge installations on their output currents of limited duration
за авторством: A. A. Shcherba, та інші
Опубліковано: (2021)

Slow and fast lights in metal/dielectric composite of cylindrical nanoinclusions in passive and active linear dielectric host matrices
за авторством: Y. A. Abbo
Опубліковано: (2021)

Slow and fast lights in metal/dielectric composite of cylindrical nanoinclusions in passive and active linear dielectric host matrices
за авторством: Y. A. Abbo
Опубліковано: (2021)

Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 1. Geometry and energetics of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)