Зображення обкладинки

Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure

Spin-on Methylsilsesquioxane (MSQ) exhibits low dielectric constant and is an important and promising material to reduce parasitic capacitive coupling between metal layers in semiconductor integrated circuits. However, MSQ has lower film density and therefore more porous than the traditional silicon...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2003
Автори:	Aw, K.C., Ibrahim, K.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118103
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure / K.C. Aw, K. Ibrahim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 524-527. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate
за авторством: Aw, K.C., та інші
Опубліковано: (2002)

Volt-farad phenomena in metal–oxide–semiconductor structures
за авторством: A. Levchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Application of discharges of capacitors for control of metal crystallization in ESR
за авторством: I. V. Protokovilov, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiological characterization of metal oxide semiconductor field effect transistor dosimeter
за авторством: Chan-Hyeong Kim, та інші
Опубліковано: (2004)

Model of the Formation Damaging Factors of Dual Circuit Evaporator Unit
за авторством: V. A. Reznikov, та інші
Опубліковано: (2013)

Surface plasmon polaritons in dielectric/metal/dielectric structures: metal layer thickness influence
за авторством: P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of the electroneutrality of a metal layer on the plasmon spectrum in dielectric–metal–dielectric structures
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2019)

Metal-dielectric black matrix for display devices
за авторством: Chang Won Park, та інші
Опубліковано: (2000)

Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Features of planar metal/dielectric nanowaveguides
за авторством: V. M. Fitio, та інші
Опубліковано: (2020)

Features of planar metal/dielectric nanowaveguides
за авторством: Fitio, V.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)

Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures
за авторством: Y. V. Gomeniuk
Опубліковано: (2012)

Current transport mechanisms in metal – high-k dielectric – silicon structures
за авторством: Gomeniuk, Y.V.
Опубліковано: (2012)

Ellipsometry of hybrid noble metal-dielectric nanostructures
за авторством: A. L. Yampolskiy, та інші
Опубліковано: (2018)

Ellipsometry of hybrid noble metal-dielectric nanostructures
за авторством: Yampolskiy, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Method of Obtaining of Metal Oxide Anodes That Do Not Contain Noble Metals
за авторством: V. H. Mykhailenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Method of Obtaining of Metal Oxide Anodes That Do Not Contain Noble Metals
за авторством: Михайленко, В. Г., та інші
Опубліковано: (2023)

Method of Obtaining of Metal Oxide Anodes That Do Not Contain Noble Metals
за авторством: Михайленко, В. Г., та інші
Опубліковано: (2023)

Synthesis of three-loop circuits of semiconductor electric discharge installations with reservoir capacitor
за авторством: S. S. Roziskulov, та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of rectifying contact in semiconductor–vacuum–metal system
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

CREATION OF HIGH-VOLTAGE PULSE CAPACITORS ON THE BASIS OF A COMPOSITE FILM DIELECTRIC
за авторством: Gun'ko, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

AN ANTENNA BASED ON A HYBRID METAL–DIELECTRIC STRUCTURE
за авторством: Mayboroda, D. V., та інші
Опубліковано: (2021)

An Antenna Based on a Hybrid Metal–Dielectric Structure
за авторством: D. V. Maiboroda, та інші
Опубліковано: (2021)

Thermodynamic and adhesive parameters of nanolayers in the system "metal-dielectric"
за авторством: Yuzevych, V.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Features of analysis of transients in circuits of discharge of reservoir capacitors at the electro-spark dispersion of layer of metal granules
за авторством: N. I. Suprunovskaja
Опубліковано: (2015)

Numerical analysis of processes of heating and convective evaporation of metal in treatment by a pulsed laser radiation
за авторством: I. V. Krivtsun, та інші
Опубліковано: (2010)

Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)

Polarizability of two-layer metal-oxide nanowires
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2021)

Oxide materials with the metal adhesive-mechanical joint
за авторством: I. I. Gab, та інші
Опубліковано: (2015)

d-electrons and superconductivity of transition metal oxides
за авторством: Sergeeva, G.G.
Опубліковано: (2001)

Universal character of tunnelling conductance of metal-insulator-metal heterostructures with nanosize oxide interlayers
за авторством: M. A. Belogolovskij, та інші
Опубліковано: (2011)

Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa₃
за авторством: Kotur, B., та інші
Опубліковано: (2013)

Electromagnetic Waves of a Planar Layered Metal-Dielectric Structure
за авторством: Vidil, M. J., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of the polarization of molecules of metal oxides on the diffusion coefficient in smoky plasmas
за авторством: G. S. Dragan, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of the polarization of molecules of metal oxides on the diffusion coefficient in smoky plasmas
за авторством: G. S. Dragan, та інші
Опубліковано: (2014)

Control of parameters of bipolar pulse currents in the load of semiconductor electric discharge installations with reservoir capacitor
за авторством: N. I. Suprunovska, та інші
Опубліковано: (2017)

Modified optical OR and AND gates
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)

Electro-optical hybrid logic gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2007)

Surface oxidation of molten metal in the process of dispersing in IMSM
за авторством: D. A. Kalashnik, та інші
Опубліковано: (2017)