Buchumschlag

Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure

Spin-on Methylsilsesquioxane (MSQ) exhibits low dielectric constant and is an important and promising material to reduce parasitic capacitive coupling between metal layers in semiconductor integrated circuits. However, MSQ has lower film density and therefore more porous than the traditional silicon...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Aw, K.C., Ibrahim, K.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118103
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure / K.C. Aw, K. Ibrahim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 524-527. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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