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Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅

Ge₃₃As₁₂Se₅₅-Si(n) heterostructures with modified by bismuth atoms transition layer were obtained by the discrete thermal evaporation method. Described are formation and investigation methods for these heterostructures. The mechanism of charge transmission in this heterostructures was ascertained. I...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2004
Hauptverfasser: Kondrat, O., Popovich, N., Dovgoshej, N.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118107
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅ / O. Kondrat, N. Popovich, N. Dovgoshej // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 56-59. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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