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The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon

The diffusion of Phosphorus in silicon using a POCl₃ source has been considered. In the base of Fair-Tsai model of P-diffusion an empirical equation for calculation of active diffused phosphorus density (Qel), is proposed. In this equation, a relationship between (Qel), diffusion time, temperature a...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2004
1. Verfasser:	Sasani, M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118109
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon / M. Sasani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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