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Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence

We have carried out a systematic study of mercury cadmium telluride crystals subjected to the high-frequency and high-intensity ultrasonic influence. The charge carrier transport parameters were determined from the Hall coefficient and conductivity measurements. Temperatur...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Savkina, R.K., Smirnov, A.B., Sizov, F.F.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118124
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Dislocations as internal sources of infrared radiation in crystals subjected to ultrasonic influence / R.K. Savkina, A.B. Smirnov, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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