Buchumschlag

Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System

By comparing the results of calculations concerning the dependence of the parameters of a layer on the growth conditions with and without regard for mechanical strains in the growing system, we have analyzed the influence of the elastic energy of the strained solid phase o...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Moskvin, P.P., Rashkovetsky, L.V., Khodakovsky, V.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118126
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System / P.P. Moskvin, L.V. Rashkovetsky, V.V. Khodakovsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 3. — С. 70-74. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers
von: Beketov, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-binary structural diagram of Cd-Hg-Te system
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Polyassociative thermodynamical model of A₂B₆ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 1. Phase equilibria in initial two-component systems. Hg-Te system
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system
von: Moskvin, P.P., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (1999)

HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
von: Bekirov, B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
von: Ostapov, S.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Interaction of HNO₃-HI-citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn₀.₀₄Cd₀.₉₆Te, Zn₀.₁Cd₀.₉Te and Cd₀.₂Hg₀.₈Te semiconductors
von: Hvozdiyevskyi, Ye.Ye., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
von: Virt, I.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
von: Bogoboyashchiy, V.V.
Veröffentlicht: (1999)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
von: Vlasenko, O.I., et al.
Veröffentlicht: (1998)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
von: Malyk, O.P.
Veröffentlicht: (2009)

Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
von: R. M. Balabai
Veröffentlicht: (2012)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
von: R. M. Balabai, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
von: D. A. Kozlov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
von: Балабай, Р.М.
Veröffentlicht: (2012)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
von: Tsybulenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
von: Kukhtaruk, N.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
von: Popenko, N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
von: Paranchych, S.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)