Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях
 (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
 (x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концент...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118134 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием / Е.П. Скипетров, А.Н. Голованов, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 98–108. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724990090084352 |
|---|---|
| author | Скипетров, Е.П. Голованов, А.Н. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. |
| author_facet | Скипетров, Е.П. Голованов, А.Н. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. |
| citation_txt | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием / Е.П. Скипетров, А.Н. Голованов, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 98–108. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях
(4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия.
Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика
изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в
Pb₁–yVyTe и сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb₁–x–ySnxVyTe при легировании.
Досліджено кристалічну структуру, склад, гальваномагнітні властивості в слабких магнітних полях
(4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) та ефект Шубнікова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0, 0,05–0,18), які синтезовано методом Бриджмена, при варіації концентрації домішки ванадію. Показано, що збільшення вмісту ванадію призводить до появи областей з підвищеним вмістом ванадію і мікроскопічних включень з'єднань, які близькі за складом до V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe виявлено стабілізацію рівня Фермі глибоким рівнем ванадію, перехід діелектрик–метал та збільшення концентрації вільних
електронів із зростанням вмісту ванадію. Зіставляється кінетика зміни концентрації вільних носіїв заряду
при збільшенні концентрації домішки ванадію в Pb₁–yVyTe та сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обговорюються можливі моделі перебудови електронної структури сплавів Pb₁–x–ySnxVyTe при легуванні.
The crystal structure, composition, galvanomagnetic
properties in weak magnetic fields (4.2 K ≤ T ≤ 300 K,
B ≤ 0.07 T) and the Shubnikov–de Haas effect (T =
= 4.2 K, B ≤ 7 T) are studied for Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0, 0.05-0.18) alloys, synthesized by the Bridgman
technique, of vanadium impurity concentration being
varied. It is shown that an increase of vanadium impurity
content brings into existence the regions enriched with
vanadium and microscopic inclusions of compounds
with a composition close to V₃Te₄. In Pb₁–yVyTe a pinning
of the Fermi level by the vanadium deep level,
an insulator–metal transition and an increase of free
electron concentration with vanadium content are
found out. The kinetics of changes in free charge carrier
concentration with increasing vanadium impurity
concentration in Pb₁–yVyTe and Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0.05–0.18) alloys is compared. Possible models
of electronic structure rearrangement under vanadium
doping for Pb₁–x–ySnxVyTe alloys are discussed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:50:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118134 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:50:21Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Скипетров, Е.П. Голованов, А.Н. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. 2017-05-28T18:09:40Z 2017-05-28T18:09:40Z 2013 Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием / Е.П. Скипетров, А.Н. Голованов, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 98–108. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 71.55.–i, 72.20.My, 75.50.Рр https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118134 Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях
 (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
 (x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия.
 Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика
 изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в
 Pb₁–yVyTe и сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb₁–x–ySnxVyTe при легировании. Досліджено кристалічну структуру, склад, гальваномагнітні властивості в слабких магнітних полях
 (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) та ефект Шубнікова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
 (x = 0, 0,05–0,18), які синтезовано методом Бриджмена, при варіації концентрації домішки ванадію. Показано, що збільшення вмісту ванадію призводить до появи областей з підвищеним вмістом ванадію і мікроскопічних включень з'єднань, які близькі за складом до V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe виявлено стабілізацію рівня Фермі глибоким рівнем ванадію, перехід діелектрик–метал та збільшення концентрації вільних
 електронів із зростанням вмісту ванадію. Зіставляється кінетика зміни концентрації вільних носіїв заряду
 при збільшенні концентрації домішки ванадію в Pb₁–yVyTe та сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обговорюються можливі моделі перебудови електронної структури сплавів Pb₁–x–ySnxVyTe при легуванні. The crystal structure, composition, galvanomagnetic
 properties in weak magnetic fields (4.2 K ≤ T ≤ 300 K,
 B ≤ 0.07 T) and the Shubnikov–de Haas effect (T =
 = 4.2 K, B ≤ 7 T) are studied for Pb₁–x–ySnxVyTe
 (x = 0, 0.05-0.18) alloys, synthesized by the Bridgman
 technique, of vanadium impurity concentration being
 varied. It is shown that an increase of vanadium impurity
 content brings into existence the regions enriched with
 vanadium and microscopic inclusions of compounds
 with a composition close to V₃Te₄. In Pb₁–yVyTe a pinning
 of the Fermi level by the vanadium deep level,
 an insulator–metal transition and an increase of free
 electron concentration with vanadium content are
 found out. The kinetics of changes in free charge carrier
 concentration with increasing vanadium impurity
 concentration in Pb₁–yVyTe and Pb₁–x–ySnxVyTe
 (x = 0.05–0.18) alloys is compared. Possible models
 of electronic structure rearrangement under vanadium
 doping for Pb₁–x–ySnxVyTe alloys are discussed. Авторы благодарны А.В. Кнотько, А.А. Винокурову
 и С.А. Ибрагимову (химический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова) за исследование образцов на растровом электронном микроскопе и предоставление
 данных рентгеновских исследований.
 Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант
 № 11-02-01298) и Министерства образования и науки
 Российской Федерации (контракт № 14.740.11.0051). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием Electronic structure of lead telluride-based alloys, doped with vanadium Article published earlier |
| spellingShingle | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием Скипетров, Е.П. Голованов, А.Н. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием |
| title_alt | Electronic structure of lead telluride-based alloys, doped with vanadium |
| title_full | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием |
| title_fullStr | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием |
| title_full_unstemmed | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием |
| title_short | Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием |
| title_sort | электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием |
| topic | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118134 |
| work_keys_str_mv | AT skipetrovep élektronnaâstrukturasplavovnaosnovetelluridasvincalegirovannyhvanadiem AT golovanovan élektronnaâstrukturasplavovnaosnovetelluridasvincalegirovannyhvanadiem AT slynʹkoei élektronnaâstrukturasplavovnaosnovetelluridasvincalegirovannyhvanadiem AT slynʹkove élektronnaâstrukturasplavovnaosnovetelluridasvincalegirovannyhvanadiem AT skipetrovep electronicstructureofleadtelluridebasedalloysdopedwithvanadium AT golovanovan electronicstructureofleadtelluridebasedalloysdopedwithvanadium AT slynʹkoei electronicstructureofleadtelluridebasedalloysdopedwithvanadium AT slynʹkove electronicstructureofleadtelluridebasedalloysdopedwithvanadium |