An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
In resent years a considerable effort (experience, numerical simulation and theoretical prediction models) has been devoted to the study of photovoltaic devices characterised by high efficiency and low cost. The present study comes in way to contribute in the optimisation of the performance of Si an...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Hauptverfasser: | Merabtine, N., Amourache, S., Bouaouina, M., Zaabat, M., Saidi, Y., Kenzai, C. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118145 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances / N. Merabtine, S. Amourache, M. Bouaouina, M. Zaabat, Y. Saidi, C. Kenzai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs
von: Khemissi, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Khemissi, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology
von: Benbouza, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Benbouza, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
von: Belgat, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Belgat, M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Accurate numerical modelling the GaAs MESFET current-voltage characteristics
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Simulation analysis to optimize the performance of a homojunction -- In₀.₇Ga₀.₃N solar cell
von: Hussain, S., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Hussain, S., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Performance improvement of silicon solar cells by nanoporous silicon coating
von: Dzhafarov, T.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dzhafarov, T.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
von: Datsenko, L.I., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Datsenko, L.I., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
von: S. V. Biletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: S. V. Biletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2015)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface
von: Mamykin, S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Mamykin, S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
von: Klimovskaya, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Klimovskaya, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Optimal performance assessment of intelligent controllers used in solar-powered electric vehicle
von: Kumar, R. S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Kumar, R. S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)
NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
von: Ganji, Jabbar
Veröffentlicht: (2017)
von: Ganji, Jabbar
Veröffentlicht: (2017)
Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
von: Ganji, J.
Veröffentlicht: (2017)
von: Ganji, J.
Veröffentlicht: (2017)
Improvement teaching-learning-based optimization algorithm for solar cell parameter extraction in photovoltaic systems
von: Khaterchi, H., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Khaterchi, H., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Ähnliche Einträge
-
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs
von: Khemissi, S., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology
von: Benbouza, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
von: Belgat, M., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Accurate numerical modelling the GaAs MESFET current-voltage characteristics
von: Merabtine, N., et al.
Veröffentlicht: (2004)