Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
CdTe thin films were grown on different substrates: BaF₂ (111), polished Si (100), SiO₂, bulk CdTe (110) and HgxCd₁₋xTe layers by hot wall epitaxy (HWE). Chosen temperature parame-ters and technological process of thin film fabrication provided the growth rate of about 0.03 mm/min. The current-volta...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118156 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy / Ye.O. Bilevych, A.I. Boka, L.O. Darchuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 129-132. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique
за авторством: Movchan, S., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Movchan, S., та інші
Опубліковано: (1999)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Simulated properties of printed antennas on silicon substrates for THz/sub-THz arrays
за авторством: Sakhno, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sakhno, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaF₂ substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy
за авторством: Sheremeta, T.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Sheremeta, T.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique
за авторством: Samoylov, A.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Samoylov, A.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Preparation of the surface of hot-rolled strips for hot-dip galvanized
за авторством: V. G. Ivanchenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. G. Ivanchenko
Опубліковано: (2014)
Electrical properties and mechanisms of the point defect formation in PbTe(In) films prepared by modified "hot wall" technique
за авторством: Samoylov, A.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Samoylov, A.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
Activity of domain walls of epitaxial ferrite-garnet films caused by external electric fields
за авторством: Koronovskyy, V.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Koronovskyy, V.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2021)
Simulated properties of printed antennas on silicon substrates for THz/sub-THz arrays
за авторством: M. V. Sakhno, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. V. Sakhno, та інші
Опубліковано: (2011)
Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Infrared and terahertz in biomedicine
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2017)
Brief history of THz and IR technologies
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2019)
Infrared detectors: outlook and means
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2000)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Intrinsic concentration dependences in the HgCdTe quantum well in the range of the insulator-semimetal topological transition
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Preparation of nanocrystalline Bi2Te3 via microwave-solvothermal synthesis and hot isostatic pressure
за авторством: O. N. Maradudina, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. N. Maradudina, та інші
Опубліковано: (2012)
Microstructure and properties of aluminum composites with carbide-containing master alloy and titanium carbide prepared by hot-forging
за авторством: Yu. O. Shyshkina, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. O. Shyshkina, та інші
Опубліковано: (2018)
Preparation technology and photoluminescence properties of CdTe nanocrystals in colloidal solutions and polymeric matrices
за авторством: Kalytchuk, S.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kalytchuk, S.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Modelling of processes of formation of pyramidal structures during epitaxial growth
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2016)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
Microstructure and wear properties of Ni–Ni3Si composites prepared by mechanical alloying and hot pressing sintering
за авторством: J. Zhang, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. Zhang, та інші
Опубліковано: (2020)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)