Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2013
• Main Authors: Соколенко, В.И., Фролов, В.А.
• Language: Russian
• Published: 2013
• Subjects: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118160
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf е(x) – nf h = 0. При условии nf е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf h, в частности, температурных. Для оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf е(x) – nf h = 0. За умови nf е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан. It is analytically shown that the specific resistivity ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic function of distance from interface. A maximum value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic dielectric state at a distance x, where the difference in densities of Fermi guest electrons and native holes is e ( ) h 0. n f x − n f = For (0) соnst ef n = the value of rc can be an indicator of changes of hf n , in particular, temperature. The temperature dependences rc(Т) of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are measured. Their features correspond: concept of local pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature of depairing, the idea of fluctuation superconductivity and the transition to a superconducting state.