Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2013
• Автори: Соколенко, В.И., Фролов, В.А.
• Мова: Російська
• Опубліковано: 2013
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118160
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
 ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
 расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
 диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf
 е(x) – nf
 h = 0. При условии nf
 е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf
 h, в частности, температурных. Для
 оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции
 локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о
 флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де
 різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf
 е(x) – nf
 h = 0. За умови nf
 е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf
 h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO
 виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають
 концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про
 флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан. It is analytically shown that the specific resistivity
 ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon
 an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic
 function of distance from interface. A maximum
 value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic
 dielectric state at a distance x, where the
 difference in densities of Fermi guest electrons and native
 holes is e ( ) h 0.
 n f x − n f = For (0) соnst ef
 n = the
 value of rc can be an indicator of changes of hf
 n , in particular,
 temperature. The temperature dependences rc(Т)
 of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and
 slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are
 measured. Their features correspond: concept of local
 pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature
 of depairing, the idea of fluctuation superconductivity
 and the transition to a superconducting state.