Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл
Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
 ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
 расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , |
| Language: | Russian |
| Published: |
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118160 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743745869381632 |
|---|---|
| author | Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| author_facet | Соколенко, В.И. Фролов, В.А. |
| citation_txt | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf
е(x) – nf
h = 0. При условии nf
е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf
h, в частности, температурных. Для
оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции
локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о
флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние.
Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де
різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf
е(x) – nf
h = 0. За умови nf
е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf
h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO
виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають
концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про
флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан.
It is analytically shown that the specific resistivity
ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon
an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic
function of distance from interface. A maximum
value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic
dielectric state at a distance x, where the
difference in densities of Fermi guest electrons and native
holes is e ( ) h 0.
n f x − n f = For (0) соnst ef
n = the
value of rc can be an indicator of changes of hf
n , in particular,
temperature. The temperature dependences rc(Т)
of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and
slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are
measured. Their features correspond: concept of local
pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature
of depairing, the idea of fluctuation superconductivity
and the transition to a superconducting state.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:32:05Z |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118160 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:32:05Z |
| publishDate | 2013 |
| record_format | dspace |
| spelling | Соколенко, В.И. Фролов, В.А. 2017-05-29T05:17:23Z 2017-05-29T05:17:23Z 2013 Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. PACS: 74.72.–h, 74.25.F–, 73.40.Сg https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118160 Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
 ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
 расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
 диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf
 е(x) – nf
 h = 0. При условии nf
 е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf
 h, в частности, температурных. Для
 оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции
 локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о
 флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де
 різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf
 е(x) – nf
 h = 0. За умови nf
 е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf
 h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO
 виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають
 концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про
 флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан. It is analytically shown that the specific resistivity
 ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon
 an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic
 function of distance from interface. A maximum
 value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic
 dielectric state at a distance x, where the
 difference in densities of Fermi guest electrons and native
 holes is e ( ) h 0.
 n f x − n f = For (0) соnst ef
 n = the
 value of rc can be an indicator of changes of hf
 n , in particular,
 temperature. The temperature dependences rc(Т)
 of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and
 slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are
 measured. Their features correspond: concept of local
 pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature
 of depairing, the idea of fluctuation superconductivity
 and the transition to a superconducting state. ru Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл Electrical resistivity for HTSC–normal metal interface published earlier |
| spellingShingle | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл Соколенко, В.И. Фролов, В.А. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_alt | Electrical resistivity for HTSC–normal metal interface |
| title_full | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_fullStr | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_full_unstemmed | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_short | Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл |
| title_sort | электросопротивление интерфейса втсп–нормальный металл |
| topic | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118160 |
| work_keys_str_mv | AT sokolenkovi élektrosoprotivlenieinterfeisavtspnormalʹnyimetall AT frolovva élektrosoprotivlenieinterfeisavtspnormalʹnyimetall AT sokolenkovi electricalresistivityforhtscnormalmetalinterface AT frolovva electricalresistivityforhtscnormalmetalinterface |