Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI

Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс≤6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых п...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Юзефович, О.И., Михайлов, М.Ю., Бенгус, C.В., Аладышкин, А.Ю., Пестов, Е.Е., Ноздрин, Ю.Н., Сипатов, А.Ю., Бухштаб, Е.И., Фогель, Н.Я.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118198
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI / О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, C.В. Бенгус, А.Ю. Аладышкин, Е.Е. Пестов, Ю.Н. Ноздрин, А.Ю. Сипатов, Е.И. Бухштаб, Н.Я. Фогель // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1249-1258. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118198
record_format	dspace
fulltext
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
spellingShingle	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Юзефович, О.И. Михайлов, М.Ю. Бенгус, C.В. Аладышкин, А.Ю. Пестов, Е.Е. Ноздрин, Ю.Н. Сипатов, А.Ю. Бухштаб, Е.И. Фогель, Н.Я. Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI Физика низких температур
description	Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс≤6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых полупроводниках, обусловленной неоднородными напряжениями, создаваемыми сеткой дислокаций несоответствия, возникающей на границах раздела при эпитаксиальном росте. Обнаружено, что Тс и характер сверхпроводящего перехода двухслойных гетероструктур PbTe/PbS зависят от толщины полупроводниковых слоев d и напрямую связаны с качеством сеток дислокаций несоответствия на интерфейсах (количеством и типом структурных дефектов в сетках). Найдены существенные отличия в поведении двухслойных сэндвичей и сверхрешеток. Минимальная толщина d, при которой появляется сверхпроводимость, для двухслойных систем в несколько раз больше, чем для многослойных. Верхние критические магнитные поля Hc₂ двухслойных систем более анизотропны. В области температур, близких к Тс, для сверхрешеток наблюдается 3D-поведение, а ее понижение приводит к кроссоверу 3D–2D. Для двухслойных структур 2D-поведение начинается непосредственно от Тс и обнаруживается кроссовер типа 2D–1D с резкой расходимостью Hc₂, характерной для сверхпроводящих сеток.
format	Article
author	Юзефович, О.И. Михайлов, М.Ю. Бенгус, C.В. Аладышкин, А.Ю. Пестов, Е.Е. Ноздрин, Ю.Н. Сипатов, А.Ю. Бухштаб, Е.И. Фогель, Н.Я.
author_facet	Юзефович, О.И. Михайлов, М.Ю. Бенгус, C.В. Аладышкин, А.Ю. Пестов, Е.Е. Ноздрин, Ю.Н. Сипатов, А.Ю. Бухштаб, Е.И. Фогель, Н.Я.
author_sort	Юзефович, О.И.
title	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
title_short	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
title_full	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
title_fullStr	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
title_full_unstemmed	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI
title_sort	сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа аivbvi
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2008
topic_facet	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118198
citation_txt	Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI / О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, C.В. Бенгус, А.Ю. Аладышкин, Е.Е. Пестов, Ю.Н. Ноздрин, А.Ю. Сипатов, Е.И. Бухштаб, Н.Я. Фогель // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1249-1258. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT ûzefovičoi sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT mihajlovmû sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT benguscv sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT aladyškinaû sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT pestovee sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT nozdrinûn sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT sipatovaû sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT buhštabei sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT fogelʹnâ sverhprovodimostʹgranicrazdelapoluprovodnikovyhsloevvdvuhslojnyhimnogoslojnyhgeterostrukturahtipaaivbvi AT ûzefovičoi interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT mihajlovmû interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT benguscv interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT aladyškinaû interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT pestovee interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT nozdrinûn interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT sipatovaû interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT buhštabei interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures AT fogelʹnâ interfacesuperconductivityintwolayerandmultilayersemiconductivityivviheterostructures
first_indexed	2025-11-25T20:35:27Z
last_indexed	2025-11-25T20:35:27Z
_version_	1849795990849060864
spelling	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1181982025-02-09T10:29:23Z Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI Interface superconductivity in two-layer and multilayer semiconductivity IV–VI heterostructures Юзефович, О.И. Михайлов, М.Ю. Бенгус, C.В. Аладышкин, А.Ю. Пестов, Е.Е. Ноздрин, Ю.Н. Сипатов, А.Ю. Бухштаб, Е.И. Фогель, Н.Я. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс≤6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых полупроводниках, обусловленной неоднородными напряжениями, создаваемыми сеткой дислокаций несоответствия, возникающей на границах раздела при эпитаксиальном росте. Обнаружено, что Тс и характер сверхпроводящего перехода двухслойных гетероструктур PbTe/PbS зависят от толщины полупроводниковых слоев d и напрямую связаны с качеством сеток дислокаций несоответствия на интерфейсах (количеством и типом структурных дефектов в сетках). Найдены существенные отличия в поведении двухслойных сэндвичей и сверхрешеток. Минимальная толщина d, при которой появляется сверхпроводимость, для двухслойных систем в несколько раз больше, чем для многослойных. Верхние критические магнитные поля Hc₂ двухслойных систем более анизотропны. В области температур, близких к Тс, для сверхрешеток наблюдается 3D-поведение, а ее понижение приводит к кроссоверу 3D–2D. Для двухслойных структур 2D-поведение начинается непосредственно от Тс и обнаруживается кроссовер типа 2D–1D с резкой расходимостью Hc₂, характерной для сверхпроводящих сеток. Проведено комплексне дослідження й порівняння надпровідних властивостей двошарових і багатошарових напівпровідних епітаксіальних гетероструктур типу АIVВVI, що проявляють надпров ідність при критичних температурах Тс≤6,5 К. Надпровідність цих систем пов’язана з інверсією зон у вузькощілинних напівпровідниках, яка обумовлена неоднорідними напругами, створюваними сіткою дислокацій невідповідності, що виникає на інтерфейсах при епітаксіальному зростанні. Виявлено, що Тс і характер надпровідного переходу двошарових гетероструктур PbTe/Pb залежать від товщини напівпровідникових шарів d і прямо пов’язані з якістю сіток дислокацій невідповідності на інтерфейсах (кількістю й типом структурних дефектів у сітках). Знайдено істотні відмінності в поводженн і двошарових сендвичів та надграток. Мінімальна товщина d, при якій з’являється надпров ідність, для двошарових систем у кілька разів більше, ніж для багатошарових. Верхні критичні магнітні поля Hc₂ двошарових систем більш анізотропні. В області температур, близьких до Тс, для надграток спостерігається 3D-поводження, а її зниження призводить до кросоверу 3D–2D. Для двошарових структур 2D-поводження починається безпосередньо від Тс і виявляється кросовер типу 2D–1D з різкою розбіжністю Hc₂, характерною для надпровідних сіток. Some epitaxial semiconducting IV–VI heterostructures is known to be superconducting at temperatures as high as 6.5 K. Superconductivity in these systems is supposed to be related to the band inversion in narrow-gap semiconductors due to the elastic stress field formed by misfit dislocation grids at the heterostructure interface. We report here a comparative study of superconducting properties of two-layer and multilayer IV–VI heterostructures. Superconducting critical temperature Tc and transition width of two-layer heterostructure is found to depend on thickness of layers and is influenced by quality of misfit dislocation grids at the interface. The superconducting properties of two-layer and multilayer heterostructures demonstrate essential distinctions. The minimum layer thickness of the two-layer heterostructures at which they display superconductivity is several times greater compared to that of the multilayer one. Upper critical magnetic fields Hc₂ for the two-layer heterostructures are more anisotropic. The multilayer heterostructures display a 3D behavior in the vicinity of Tc, and a 3D–2D crossover is observed in the temperature dependence of Hc₂ with decreasing the temperature. For the two-layer heterostructures the 2D behavior starts directly at Tc and a 2D–1D crossover is observed with a sharp divergence of Hc₂, which is characteristic for superconducting nets. Работа выполнена при поддержке Государственного фонда фундаментальных исследований Украины (грант № F8/307-2004) и РФФИ России (грант № 06-02-16592). Авторы выражают признательность В.И. Нижанковскому за интерес к работе и полезные дискуссии. 2008 Article Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI / О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, C.В. Бенгус, А.Ю. Аладышкин, Е.Е. Пестов, Ю.Н. Ноздрин, А.Ю. Сипатов, Е.И. Бухштаб, Н.Я. Фогель // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1249-1258. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 68.35.bg;68.65.–k;73.21.–b;74.78.Fk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118198 ru Физика низких температур application/pdf Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України

Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI

Репозитарії

Схожі ресурси