Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI

• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Юзефович, О.И., Михайлов, М.Ю., Бенгус, C.В., Аладышкин, А.Ю., Пестов, Е.Е., Ноздрин, Ю.Н., Сипатов, А.Ю., Бухштаб, Е.И., Фогель, Н.Я.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118198
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Сверхпроводимость границ раздела полупроводниковых слоев в двухслойных и многослойных гетероструктурах типа АIVBVI / О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, C.В. Бенгус, А.Ю. Аладышкин, Е.Е. Пестов, Ю.Н. Ноздрин, А.Ю. Сипатов, Е.И. Бухштаб, Н.Я. Фогель // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1249-1258. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Проведено комплексное исследование и сравнение сверхпроводящих свойств двухслойных и многослойных полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур типа АIVВVI, проявляющих сверхпроводимость при критических температурах Тс≤6,5 К. Сверхпроводимость этих систем связана с инверсией зон в узкощелевых п...