O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений
Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
 эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
 MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с&...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118201 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862590818993307648 |
|---|---|
| author | Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. |
| author_facet | Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. |
| citation_txt | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с
использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом
диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь
высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в
интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра
порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что
пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними
свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/²
для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления
остается невыясненной.
Досліджено температурну залежність поверхневого опору RS (T) високоякісної епітаксіальної
плівки YBa₂Cu₃O₇₋σ товщиною 600 нм, яку нанесено на монокристалічну підкладку MgO. Вимірювання
проведено в інтервалі температур від Tc до 2 К із застосуванням нової техніки — з використанням
сапфірового напівсферичного резонатора з хвилями типу шепочучої галереї у 8-міліметровому діапазон
і хвиль (Ka-band). Техніка вимірювання, яку розвинуто, дозволяє при низьких температурах досягнути
высокої чутливості вимірювання RS(T) (до 10 мкОм). Отримано лінійну залежність RS(T) в інтервал
і температур 2–15 К, яка узгоджується з уявленнями про d-хвильову симетрію параметра порядку.
Знайдене у роботі значення залишкового опору Rres=RS(T→0) показує, що плівка за мікрохвильовими
властивостями близька до монокристалів і Rres, очевидно, визначається внутрішніми властивостями
надпровідника. Із аналізу опублікованих даних випливає, що Rres(ω) ~ ω³/² для монокристалів і плівок
YBa₂Cu₃O₇₋σ , при цьому природа залишкового мікрохвильового опору залишається нез’ясованою.
The temperature dependence of surface resistance
RS(T) of a high-quality epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film
of 600 nm sputtered onto a single crystal MgO substrate
has been measured. The measurements were
carried out in the temperature interval from Tc to 2 K
by means of a new technique, namely, using a sapphire
hemispherical resonator excited with whispering
gallery modes in the Ka-band. This technique
allows one to achieve high sensitivity of RS(T)
measurement, up to 10 &, at low temperatures. A
linear dependence was obtained in a temperature interval
of 2–15 K, in agreement with the idea of
d-wave symmetry of order parameter. The value of
Rres=RS(T→0) found in the work shows that the
film properties are similar to those of single crystals,
and if seems that Rres is determined by intrinsic properties
of a superconductor. Analysis of the data published
results in Rres(ω) ~ ω³/² for YBa₂Cu₃O₇₋σ single
crystals and films, and at the same time the nature
of residual microwave resistance remains unclear.
|
| first_indexed | 2025-11-27T05:42:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118201 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T05:42:36Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. 2017-05-29T11:33:00Z 2017-05-29T11:33:00Z 2008 O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений / А.А. Баранник, С.А. Буняев, Н.Т. Черпак // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 12. — С. 1239-1244. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.Rp;74.25.Nf;74.72,Bk;74.78.Bz;07.57.–c https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118201 Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
 эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
 MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с
 использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом
 диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь
 высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в
 интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра
 порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что
 пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними
 свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/²
 для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления
 остается невыясненной. Досліджено температурну залежність поверхневого опору RS (T) високоякісної епітаксіальної
 плівки YBa₂Cu₃O₇₋σ товщиною 600 нм, яку нанесено на монокристалічну підкладку MgO. Вимірювання
 проведено в інтервалі температур від Tc до 2 К із застосуванням нової техніки — з використанням
 сапфірового напівсферичного резонатора з хвилями типу шепочучої галереї у 8-міліметровому діапазон
 і хвиль (Ka-band). Техніка вимірювання, яку розвинуто, дозволяє при низьких температурах досягнути
 высокої чутливості вимірювання RS(T) (до 10 мкОм). Отримано лінійну залежність RS(T) в інтервал
 і температур 2–15 К, яка узгоджується з уявленнями про d-хвильову симетрію параметра порядку.
 Знайдене у роботі значення залишкового опору Rres=RS(T→0) показує, що плівка за мікрохвильовими
 властивостями близька до монокристалів і Rres, очевидно, визначається внутрішніми властивостями
 надпровідника. Із аналізу опублікованих даних випливає, що Rres(ω) ~ ω³/² для монокристалів і плівок
 YBa₂Cu₃O₇₋σ , при цьому природа залишкового мікрохвильового опору залишається нез’ясованою. The temperature dependence of surface resistance
 RS(T) of a high-quality epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film
 of 600 nm sputtered onto a single crystal MgO substrate
 has been measured. The measurements were
 carried out in the temperature interval from Tc to 2 K
 by means of a new technique, namely, using a sapphire
 hemispherical resonator excited with whispering
 gallery modes in the Ka-band. This technique
 allows one to achieve high sensitivity of RS(T)
 measurement, up to 10 &, at low temperatures. A
 linear dependence was obtained in a temperature interval
 of 2–15 K, in agreement with the idea of
 d-wave symmetry of order parameter. The value of
 Rres=RS(T→0) found in the work shows that the
 film properties are similar to those of single crystals,
 and if seems that Rres is determined by intrinsic properties
 of a superconductor. Analysis of the data published
 results in Rres(ω) ~ ω³/² for YBa₂Cu₃O₇₋σ single
 crystals and films, and at the same time the nature
 of residual microwave resistance remains unclear. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений About low-temperature microwave response of epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film measured by a novel measurement technique Article published earlier |
| spellingShingle | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений Баранник, А.А. Буняев, С.А. Черпак, Н.Т. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
| title_alt | About low-temperature microwave response of epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film measured by a novel measurement technique |
| title_full | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
| title_fullStr | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
| title_full_unstemmed | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
| title_short | O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
| title_sort | o микроволновом отклике эпитаксиальной пленки yba₂cu₃o₇₋σ при низких температурах с применением новой техники измерений |
| topic | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118201 |
| work_keys_str_mv | AT barannikaa omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnoiplenkiyba2cu3o7σprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovoitehnikiizmerenii AT bunâevsa omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnoiplenkiyba2cu3o7σprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovoitehnikiizmerenii AT čerpaknt omikrovolnovomotklikeépitaksialʹnoiplenkiyba2cu3o7σprinizkihtemperaturahsprimeneniemnovoitehnikiizmerenii AT barannikaa aboutlowtemperaturemicrowaveresponseofepitaxialyba2cu3o7σfilmmeasuredbyanovelmeasurementtechnique AT bunâevsa aboutlowtemperaturemicrowaveresponseofepitaxialyba2cu3o7σfilmmeasuredbyanovelmeasurementtechnique AT čerpaknt aboutlowtemperaturemicrowaveresponseofepitaxialyba2cu3o7σfilmmeasuredbyanovelmeasurementtechnique |