Зображення обкладинки

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon

Hydrogen gettering by buried layers formed in oxygen-implanted silicon (Si:O prepared by O²⁺ implantation at the energy 200 keV and doses 10¹⁴ and 10¹⁷ cm⁻²) was investigated after annealing of Si:O at temperatures up to 1570 K, including also processing under enhanced...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2010
Автори:	Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Antonova, I.V., Prujszczyk, M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118217
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon/ A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, I.V. Antonova, M. Prujszczyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 161-165. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure
за авторством: Wierzchowski, W., та інші
Опубліковано: (2005)

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Defekty v Si:N, obrabotannom pry vysokykh temperaturakh y davlenyiakh, proiavliaiushchyesia v rezultate travlenyia v deiteryevoi plazme
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)

The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: Vikulin, I.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of applying reversible hydrogen getters as materials for athodes in gas discharge devices
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)

Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: Sarikov, A., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of getter additions on hydrogen- induced embrittlement of welded joints on structural materials of NPP equipment
за авторством: V. M. Azhazha, та інші
Опубліковано: (2010)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)

Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon
за авторством: Swiatek, Z., та інші
Опубліковано: (2004)

Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)

Conditions for spherical detonation in hydrogen-oxygen mixture
за авторством: M. M. Polatayko
Опубліковано: (2013)

Conditions for spherical detonation in hydrogen-oxygen mixture
за авторством: M. M. Polataiko
Опубліковано: (2013)

Comparison of spark channel expansion in hydrogen, oxygen and nitrogen
за авторством: Korytchenko, K.V., та інші
Опубліковано: (2020)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)