Buchumschlag

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon

Hydrogen gettering by buried layers formed in oxygen-implanted silicon (Si:O prepared by O²⁺ implantation at the energy 200 keV and doses 10¹⁴ and 10¹⁷ cm⁻²) was investigated after annealing of Si:O at temperatures up to 1570 K, including also processing under enhanced...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Antonova, I.V., Prujszczyk, M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118217
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon/ A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, I.V. Antonova, M. Prujszczyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 161-165. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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