Зображення обкладинки

Model of heterotransistor with quantum dots

Heterostructure transistors with quantum dots (QD) are now very perspective devices because of their higher velocities of electrons in the channel. Simulation results for concentration and carrier velocity distributions depending on the QD size, concentration and location...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2010
Автори:	Timofeyev, V.I., Faleyeva, E.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118231
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Model of heterotransistor with quantum dots/ V.I. Timofeyev, E.M. Faleyeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 186-188. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010)

Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: N. L. Sosnytska, та інші
Опубліковано: (2019)

Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: Сосницька, Наталя Леонідівна, та інші
Опубліковано: (2019)

Hydrogenic impurity in a bilayer spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2009)

Exciton in closed and opened quantum dot
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Polaron in cylindrical and spherical quantum dots
за авторством: Fai, L.C., та інші
Опубліковано: (2004)

Hole, impurity and exciton states in a spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Excitons and trions in spherical semiconductor quantum dots
за авторством: Kupchak, I.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Off-central acceptor impurity in a spherical quantum dot
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Electronic characteristics of CdS quantum dots with defects
за авторством: I. M. Kupchak, та інші
Опубліковано: (2020)

Electric properties of the interface quantum dot — matrix
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Metal vacancies in Cd₁₋ₓZnₓS quantum dots
за авторством: Kupchak, I.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
за авторством: Kunets, V.P.
Опубліковано: (1999)

Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
за авторством: Pokutnyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: H. Neidhardt, та інші
Опубліковано: (2014)

A New Model of Quantum Dot Light Emitting-Absorbing Devices
за авторством: Neidhardt, H., та інші
Опубліковано: (2014)

Electronic and magnetic properties of graphite quantum dots
за авторством: H. Abdelsalam, та інші
Опубліковано: (2015)

Electronic and magnetic properties of graphite quantum dots
за авторством: Abdelsalam, H., та інші
Опубліковано: (2015)

Light absorption coefficient of an ordered array of spherical quantum dot chains
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)

Polaron Rashba effect in an asymmetric quantum dot
за авторством: Shu-Ping Shan, та інші
Опубліковано: (2014)

Tunneling and magnetic properties of triple quantum dots
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)

Spectrum electron - hole pair insemiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2014)

Polaritons in a nonideal array of ultracold quantum dots
за авторством: V. V. Rumyantsev, та інші
Опубліковано: (2016)

Enhancement of the Quantum Dot Luminescence in All-Dielectric Metamaterial
за авторством: V. V. Khardikov, та інші
Опубліковано: (2013)

Polaritons in a nonideal array of ultracold quantum dots
за авторством: Rumyantsev, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Temperature and impurity effects of the polaron in an asymmetric quantum dot
за авторством: Sh.-P. Shan, та інші
Опубліковано: (2013)

Enhancement of the Quantum Dot Luminescence in All-Dielectric Metamaterial
за авторством: Khardikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

ENHANCEMENT OF THE QUANTUM DOT LUMINESCENCE IN ALL-DIELECTRIC METAMATERIAL
за авторством: Khardikov, V. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron and hole spectra in quantum wire with two quantum dots in the electric field
за авторством: Makhanets, O., та інші
Опубліковано: (2007)

The raman spectra of porous alumina nanocomposite films with Si quantum dots
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the quantum dots bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of the quantum dots' bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2020)

Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)