Зображення обкладинки

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry

Structural changes in silicon single crystals irradiated with high-energy electrons (Е = 18 MeV) were studied. The peculiarities of diffraction reflection curve behaviour and changes in the profiles of isodiffusion lines in high-resolution reciprocal space maps (HR-RSMs) were found as a function...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2010
Автори:	Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118237
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry/ І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk , V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 209-213. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of Plasmon Gold Film Nanostructures by Means of both X-Ray Reflectometry and Diffractometry
за авторством: A. I. Gudymenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)

High-Resolution XPS Dataset for TIHgBr₃ Single Crystals
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2025)

Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)

Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)

GSO: Ce³⁺ scintillator with a high energy resolution
за авторством: Bondar, V.G., та інші
Опубліковано: (2001)

High-resolution spectrometer for ”Salo”-project
за авторством: Khvastunov, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Experience of high-resolution electrical prospecting
за авторством: Nebrat, A. G., та інші
Опубліковано: (2011)

X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron—Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetron Transmitters for High-Resolution Radars
за авторством: Belikov, A.A., та інші
Опубліковано: (2002)

Magnetron Transmitters for High-Resolution Radars
за авторством: Belikov, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

System of spectrometers of high resolution for the ”Salo” project
за авторством: Khvastunov, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Distortion compensation technique for high resolution microscopy
за авторством: Borovytsky, V.N.
Опубліковано: (2003)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

X-ray study of dopant state in highly doped semiconductor single crystals
за авторством: I. L. Shulpina, та інші
Опубліковано: (2011)

Experimental techniques of high-resolution inelastic X-ray scattering measurements for supercritical metallic fluids at high temperature and high pressure using synchrotron radiation at SPring-8
за авторством: Inui, M., та інші
Опубліковано: (2008)

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)

High-Temperature Diffractometry Study of Features of the FeCoNiMnCr Alloy Oxidation
за авторством: M. V. Karpets, та інші
Опубліковано: (2014)

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient
за авторством: Sabov, T.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Simple high-order integer cosine transform for high-resolution video coding
за авторством: L. A. Gnativ
Опубліковано: (2018)

A High Time Resolution Receiver for Radio Emission Investigation
за авторством: Zakharenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Difference Doppler Centroid Estimation Method with High Spatial Resolution
за авторством: Dukhopelnykova, Ie. V.
Опубліковано: (2012)

HIGH-PRECISION MICROWAVE SPECTROMETER WITH SUB-DOPPLER SPECTRAL RESOLUTION
за авторством: Alekseev, E. A., та інші
Опубліковано: (2015)

High-precision microwave spectrometer with sub-doppler spectral resolution
за авторством: E. A. Alekseev, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Microwave high-resolution scanning heating in the technology of micro- and nanoelectronics
за авторством: Ju. E. Gordienko, та інші
Опубліковано: (2015)

High resolution study of temporal variations of induction vectors
за авторством: Klymkovych, T., та інші
Опубліковано: (2010)

High resolution study of temporal variations of induction vectors
за авторством: T. Klymkovych, та інші
Опубліковано: (2010)