Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., & Maaref, H. (2012). A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Sghaier, H., L. Bouzaiene, L. Sfaxi, та H. Maaref. "A Novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs Quantum Well Hall Device Grown on (111) GaAs." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Sghaier, H., et al. "A Novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs Quantum Well Hall Device Grown on (111) GaAs." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.