Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., & Maaref, H. (2012). A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Sghaier, H., L. Bouzaiene, L. Sfaxi, und H. Maaref. "A Novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs Quantum Well Hall Device Grown on (111) GaAs." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2012.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Sghaier, H., et al. "A Novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs Quantum Well Hall Device Grown on (111) GaAs." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012.
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