Зображення обкладинки

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs

In this study, we look at the advantages of (111) GaAs substrate over (001) one, when used to grow Hall devices by MBE. In top of that, we explore the consequence of a modified design of modulation doping pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs, and we suggest a new quantum well structure for a Hall dev...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2012
Автори: Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118246
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs / H. Sghaier, L. Bouzaiene, L. Sfaxi, H. Maaref // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 72-76. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси