Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
In this work, we studied comparative characteristics of the SiO₂/SiC heterostructures. The following two techniques were used for SiO₂ formation: thermal oxidation in water vapor (i) and oxidation in solution (ii). According to experimental results obtained from optical absorption and photolumine...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118258 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films / Yu.Yu. Bacherikov, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, E.Yu. Kolyadina, T.M. Ledn'ova, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |