Зображення обкладинки

Carbides of A³B⁵ compounds – new class materials for opto- and microelectronics

Discussed in this paper are options for replacing the virtual structure of SiC atoms with AlN compound. The Al₄C₃, AlNC and AlNOC compounds in vapor and solid epitaxial processes have been obtained as a result of carbothermic reduction. Analized is the role of precursors i...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2012
Автори:	Osinsky, V.I., Masol, I.V., Lyahova, N.N., Deminsky, P.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118271
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Carbides of A³B⁵ compounds – new class materials for opto- and microelectronics / V.I. Osinsky, I.V. Masol, N.N. Lyahova, P.V. Deminsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 55-60. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Carbides of A3B5 compounds - new class materials for opto- and microelectronics
за авторством: V. I. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)

Some new technology aspects for quantum enestor through A3B5 multicomponent nanoepitaxy
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2017)

Some technology aspects for quantum enestor through AᶦᶦᶦBᵛ multicomponent nanoepitaxy
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2017)

Thermal simulation of heterogeneous structural components in microelectronic devices
за авторством: Gavrysh, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Microelectronic multi_parametrical biosensors
за авторством: M. F. Starodub, та інші
Опубліковано: (2008)

Modelling the temperature conditions in three-dimensional piecewise homogeneous elements for microelectronic devices
за авторством: Gavrysh, V.I.
Опубліковано: (2011)

Opto-electronic transducers for powerful generators mechanical fault diagnosing systems: software algorithms
за авторством: Ye. O. Zaitsev
Опубліковано: (2020)

Thermal state modeling in thermosensitive elements of microelectronic devices with reach-through foreign inclusions
за авторством: Gavrysh, V.I.
Опубліковано: (2012)

Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers
за авторством: Bizyukov, A.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Thermal simulation of heterogeneous structural components in microelectronic devices
за авторством: V. I. Gavrysh, та інші
Опубліковано: (2010)

The microelectronic inductive balanced sensors with coils of square and triangular shape
за авторством: O. N. Negodenko, та інші
Опубліковано: (2002)

Innovative microelectronic technologies for high-energy physics experiments
за авторством: Borshchov, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors
за авторством: V. P. Sidorenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of temperature fields in microelectronic devices of layered structure with through inclusions
за авторством: V. I. Gavrysh, та інші
Опубліковано: (2017)

Precision shaping flat surfaces details of optics and microelectronics when polishing
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)

Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
за авторством: V. I. Gavrysh
Опубліковано: (2011)

Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)

In-process monitoring of shape accuracy of flat surfaces of optical and microelectronic components in polishing
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermal state modeling in thermosensitive elements of microelectronic devices with reach-through foreign inclusions
за авторством: V. I. Gavrysh
Опубліковано: (2012)

On melting of B4C boron carbide under pressure
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2012)

Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation
за авторством: Volkov, V.G., та інші
Опубліковано: (2003)

Electric current, thermocurrent, and heat flux in nano- and microelectronics: transport model
за авторством: Yu. A. Kruglyak
Опубліковано: (2014)

Electric current, thermocurrent, and heat flux In nano-and microelectronics:selected topics
за авторством: Yu. A. Kruglyak
Опубліковано: (2014)

Electrical potential in silicon crystals, which are used for purposes of solar energetics and microelectronics
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2005)

A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
за авторством: Sukhovii, N. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Integration of LED/SC chips (matrix) in reverse mode with solar energy storage
за авторством: Osinsky, V.I., та інші
Опубліковано: (2016)

¹¹B and ⁷Li MAS NMR of glassy and crystalline borate compounds
за авторством: Sergeev, N.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Electrochemical Synthesis of Composite Materials Based on the Nanoscale Powders of Tungsten Carbides in Salt Melt
за авторством: I. A. Novosjolova, та інші
Опубліковано: (2014)

Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

VLSI for a new generation of microelectronic coordinate-sensitive etectors with an extended field of analysis for use in mass spectrometry
за авторством: V. P. Sidorenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Structure and wear resistance at abrasive wear of deposited material, hardened with carbides of different types
за авторством: I. A. Rjabtsev, та інші
Опубліковано: (2015)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Research and development of material based on silicon carbide for die feeder device on the manufacturing of basalt fibers
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Tungsten carbides nanoparticles – a promising material for modification and reinforcement
за авторством: R. A. Serhiienko, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of carbon nanotubes on mechanochemical synthesis of d-metal carbide nanopowders and nanocomposites
за авторством: Nakonechna, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Carbides transformations in obtaining a chromium carbide steel of the eutectic type
за авторством: O. M. Shevchenko, та інші
Опубліковано: (2015)